[發明專利]一種自適應LDO電路

有效

• 申請號: 201811397485.7
• 申請日: 2018-11-22
• 公開（公告）號: CN109240405B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 李勃;錢永學;葉曉斌;王鑫;孟浩;黃鑫
• 申請（專利權）人: 北京昂瑞微電子技術有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本申請提供了一種自適應LDO電路，包括：主體電路、檢測電路和補償電路，其中，所述主體電路用于根據基準電壓，對輸入電壓進行調節，獲得輸出電壓；所述檢測電路用于檢測所述主體電路的負載電流，并根據所述負載電流得到補償電流信息；所述補償電路用于根據所述補償電流信息對所述主體電路的零極點和環路帶寬進行調節，以保證環路的穩定性，所述零極點包括主極點、第一次主極點和第二次主極點。該自適應LDO電路，通過檢測電路根據負載電流得到補償電流信息，以使補償電路根據該補償電流信息對主體電路的零極點和環路帶寬進行調節，從而保證了環路的穩定性。本申請提供的自適應LDO電路，在加大LDO環路帶寬，提高瞬態響應的同時，保證了環路的高穩定性。

技術領域

本申請涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種自適應LDO電路。

背景技術

近年來，各種便攜式電子產品的普及與產品功能的豐富，促進了電源管理IC技術的不斷發展，高性能低成本的電源管理芯片越來越受到用戶的青睞。集成穩壓器正向著高功率密度、高可靠性，高效率三個方向邁進，當負載變化很快時，瞬態特性是其設計中很大的挑戰，此外，輸出電壓的紋波直接關系到芯片的性能。

傳統的LDO電路結構如圖1所示，電路只包含兩個零極點，主極點在A點處，次主極點在B點處，主極點的頻率次主極點的頻率：其中，Rout代表A點處的輸出電阻，Cload代表A點處的片外電容，rout代表B點處的輸出電阻，Cgs1代表MP1的柵源電容。目前通常采用在片外加大電容Cload來增強LDO瞬態特性，這樣LDO負載電流瞬變時，電容上電壓變化較小，從而減小了LDO的紋波電壓。

然而，隨著負載電流的增加，電路的主極點的頻率也會隨著增大，而次主極點的位置不動，電路的環路帶寬GBW增加，相位裕度下降，這樣就導致環路穩定性變差。

有鑒于此，如何提高LDO的瞬態響應的同時，保證環路的高穩定性，是本領域技術人員亟需解決的問題。

發明內容

有鑒于此，本申請提供了一種自適應LDO電路，在提高LDO的瞬態響應的同時，能夠保證環路的高穩定性。

為了實現上述目的，本申請提供了以下技術方案：

一種自適應LDO電路，包括：主體電路、檢測電路和補償電路，其中，

所述主體電路用于根據基準電壓，對輸入電壓進行調節，獲得輸出電壓；

所述檢測電路用于檢測所述主體電路的負載電流，并根據所述負載電流得到補償電流信息；

所述補償電路用于根據所述補償電流信息對所述主體電路的零極點和環路帶寬進行調節，以保證環路的穩定性，所述零極點包括主極點、第一次主極點和第二次主極點。

優選的，所述主體電路包括：差分放大器、緩沖器、分壓器和功率管。

優選的，所述差分放大器包括：第一PMOS管MP1、第二P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3、第四P型MOS管MP4、第一N型MOS管MN1和第二N型MOS管MN2；

所述緩沖器包括：第五P型MOS管MP5和第六P型MOS管MP6；

所述分壓器包括：第八P型MOS管MP8、第九P型MOS管MP9、第十P型MOS管MP10和第十一P型MOS管MP11；

所述功率管包括：第七P型MOS管MP7；

其中，所述第一P型MOS管MP1的柵極和漏極接電流源，源極與電源相連；