[發明專利]封裝件結構和方法

有效

• 申請號: 201811396075.0
• 申請日: 2018-11-22
• 公開（公告）號: CN110034026B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 林俊成;盧思維;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成器件封裝件的方法，包括：

將集成電路器件附接到中介層的第一側，所述中介層包括電連接到所述集成電路器件的導通孔；

在所述中介層的第二側上方沉積介電層；

圖案化所述介電層以暴露所述導通孔；

在所述介電層上方形成第一掩模層，所述第一掩模層在所述導通孔上方具有第一圖案；

在所述第一掩模層的所述第一圖案中鍍凸塊下金屬(UBM)；

在所述凸塊下金屬和所述第一掩模層上形成第二掩模層，所述第二掩模層具有暴露所述凸塊下金屬的部分的第二圖案；

在所述第二掩模層的所述第二圖案中鍍導電凸塊，所述導電凸塊與所述導通孔橫向偏移；以及

去除所述第一掩模層和所述第二掩模層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在相同的去除工藝中去除所述第一掩模層和所述第二掩模層。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述集成電路器件和所述中介層之間形成底部填充材料。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括：

用模塑料包封所述集成電路器件和所述底部填充材料，所述模塑料和所述中介層是共末端的。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，圖案化所述介電層形成暴露所述導通孔的第一開口，并且還包括：

在所述介電層上方和所述第一開口中沉積晶種層，所述第一掩模層形成在所述晶種層上方，所述第一圖案暴露所述晶種層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述凸塊下金屬和所述導電凸塊之間沒有形成晶種層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，用第一鍍工藝鍍所述凸塊下金屬，用第二鍍工藝鍍所述導電凸塊，所述第一鍍工藝和所述第二鍍工藝用相同的鍍工藝參數實施。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第二掩模層的所述第二圖案中的所述導電凸塊上鍍可回流材料。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在去除所述第一掩模層和所述第二掩模層之后，回流所述可回流材料以在所述導電凸塊上形成導電連接件。

10.一種形成器件封裝件的方法，包括：

在中介層上形成介電層，所述中介層包括導通孔；

在所述介電層中圖案化開口；

在所述開口中并且沿著所述介電層沉積晶種層；

在所述晶種層上鍍第一導電材料以形成沿著所述介電層并且穿過開口延伸的凸塊下金屬(UBM)，利用所述晶種層鍍所述第一導電材料；

在所述第一導電材料上鍍第二導電材料，以形成與所述導通孔橫向偏移的導電凸塊，利用所述晶種層鍍所述第二導電材料，

其中，所述方法還包括：

在所述介電層上方形成第一掩模層，所述第一掩模層具有暴露所述晶種層的第一圖案，所述第一導電材料鍍在所述第一圖案中；

在所述凸塊下金屬和所述第一掩模層上方形成第二掩模層，所述第二掩模層具有暴露部分所述凸塊下金屬的第二圖案，所述第二導電材料鍍在所述第二圖案中。

11.根據權利要求10所述的方法，還包括：將集成電路器件附接至所述中介層的與所述介電層相對的側，所述導通孔電連接至所述集成電路器件。

12.根據權利要求10所述的方法，還包括：在相同的去除工藝中去除所述第一掩模層和所述第二掩模層。

13.根據權利要求10所述的方法，在鍍所述第二導電材料之前，在所述凸塊下金屬上沒有形成晶種層。