[發明專利]封裝件結構和方法

有效

• 申請號: 201811396075.0
• 申請日: 2018-11-22
• 公開（公告）號: CN110034026B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 林俊成;盧思維;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

在實施例中，一種器件包括：襯底，具有第一側和與第一側相對的第二側；互連結構，與襯底的第一側相鄰；以及集成電路器件，附接到互連結構；導通孔，從襯底的第一側延伸到襯底的第二側，導通孔電連接到集成電路器件；凸塊下金屬(UBM)，與襯底的第二側相鄰并且接觸導通孔；導電凸塊，位于凸塊下金屬上，導電凸塊和凸塊下金屬是連續的導電材料，導電凸塊與導通孔橫向偏移；以及底部填充物，圍繞凸塊下金屬和導電凸塊。本發明的實施例還涉及封裝件結構和方法。

技術領域

本發明的實施例涉及封裝件結構和方法。

背景技術

自從集成電路(IC)的發展以來，由于各種電子元件(即，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的不斷提高，半導體工業經歷了持續的快速增長。在大多數情況下，集成密度的這些改進來自最小部件尺寸的反復減小，這允許將更多組件集成到給定區域中。

這些集成改進本質上基本上是二維的(2D)，因為集成組件占據的區域基本上在半導體晶圓的表面上。集成電路的密度增加和相應的面積減小通常超過將集成電路芯片直接接合到襯底上的能力。已經使用中介層將球接觸區域從芯片的球接觸區域重新分布到中介層的更大區域。此外，中介層允許包括多個芯片的三維(3D)封裝。還開發了其他封裝件以結合3D方面。

發明內容

本發明的實施例提供了一種形成器件封裝件的方法，包括：將集成電路器件附接到中介層的第一側，所述中介層包括電連接到所述集成電路器件的導通孔；在所述中介層的第二側上方沉積介電層；圖案化所述介電層以暴露所述導通孔；在所述介電層上方形成第一掩模層，所述第一掩模層在所述導通孔上方具有第一圖案；在所述第一掩模層的所述第一圖案中鍍凸塊下金屬(UBM)；在所述凸塊下金屬和所述第一掩模層上形成第二掩模層，所述第二掩模層具有暴露所述凸塊下金屬的部分的第二圖案；在所述第二掩模層的所述第二圖案中鍍導電凸塊，所述導電凸塊與所述導通孔橫向偏移；以及去除所述第一掩模層和所述第二掩模層。

本發明的另一實施例提供了一種形成器件封裝件的方法，包括：在中介層上形成介電層，所述中介層包括導通孔；在所述介電層中圖案化開口；在所述開口中并且沿著所述介電層沉積晶種層；在所述晶種層上鍍第一導電材料以形成沿著所述介電層并且穿過開口延伸的凸塊下金屬(UBM)，利用所述晶種層鍍所述第一導電材料；在所述第一導電材料上鍍第二導電材料，以形成與所述導通孔橫向偏移的導電凸塊，利用所述晶種層鍍所述第二導電材料。

本發明的又一實施例提供了一種半導體器件，包括：襯底，具有第一側和與所述第一側相對的第二側；互連結構，與所述襯底的第一側相鄰；以及集成電路器件，附接到所述互連結構；導通孔，從所述襯底的第一側延伸到所述襯底的第二側，所述導通孔電連接到所述集成電路器件；凸塊下金屬(UBM)，與所述襯底的第二側相鄰并且接觸所述導通孔；導電凸塊，位于所述凸塊下金屬上，所述導電凸塊和所述凸塊下金屬是連續的導電材料，所述導電凸塊與所述導通孔橫向偏移；以及底部填充物，圍繞所述凸塊下金屬和所述導電凸塊。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1是根據一些實施例的集成電路器件的截面圖。

圖2是根據一些實施例的晶圓的截面圖。

圖3至圖18是根據一些實施例的在形成器件封裝件的工藝期間的中間步驟的各種視圖。

具體實施方式