[發明專利]一種蝕刻制程中的新型去除光阻方式

在審

• 申請號: 201811392396.3
• 申請日: 2018-11-21
• 公開（公告）號: CN109541896A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 朱翔宇;張家偉;江富杰;李司元
• 申請（專利權）人: 合肥新匯成微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L33/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種蝕刻制程中的新型去除光阻方式，包括以下步驟：將需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；將浸泡后的晶片基底放置在去光阻液中進行涮洗，一次涮洗完成后進行超聲浸泡，然后進行二次涮洗；將晶片基底放入丙酮中涮洗,然后再放置在無水乙醇溶液中涮洗，將基底水洗后,使用氮氣吹干或者旋干機進行旋干；將吹干的晶片置于等離子裝置中采用干式方法去除殘余光阻。本發明采用干濕式相結合的方法可有效去除光阻，利用等離子體及引入紫外光的方式對殘余光阻進行蝕刻，通過調節Ar氣的氣體流量比及紫外光的照度已達到有效去除殘余光阻的目的，這樣徹底消除因光阻殘留對產品造成的光電性影響，提高了產品的良率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體涉及蝕刻制程中的新型去除光阻方式。

背景技術

在LED芯片的整個制作過程中,透明電極和金屬電極圖形的制作常常用到光阻來完成,而完成電極后的光阻去除不可避免的成為了LED晶片制作過程的一個重要環節。

光阻(photoresist)，通常也被稱作光阻劑，作為一種光敏材料被廣泛應用在工業制程中，尤其在LED行業中,光阻是光刻技術不可缺小的原料常常在晶片表面制作成被覆層。目前使用的光阻,被分為兩類，正向光和負向光阻。正向光阻的特性為被光照射到的部分會溶于光阻顯影液,而沒有被照射到的部分不會溶于光阻顯影液；而負向光阻特性恰恰相反,其被光照射到的部分不會溶于光阻顯影液,沒有被光照射到的部分反而會溶于光阻顯影液。一般而言,正向光阻價格比較昂貴且解析度較高；而負向光刻膠價格相對較便宜,解析度較低,去膠相對容易。LED制作過程中,光阻最主要是被使用在LED芯片制造的中的金屬電極或者透明電極蒸鍍剝離制程中，由于LED電極所使用的金屬材料不易經使用蝕刻的方法制作電極圖形，所以常常利用剝離(Lift-off)技術，得到凸起的光阻層，使金屬在蒸鍍過程中不會連續分布在光阻上，然后使用光阻去膠液進行清洗的方式，將光阻上層的金屬及光阻層部分同時剝離掉，完成金屬電極圖形的制作過程。另外，在制作完成金屬電極的制作后需要進行酸堿溶液的清洗時，需要光阻作為保護層進行保護作業。目前，光阻的去除,最常用的方法為多級光去去膠液通過高溫加熱進行長時間浸泡去除，在光阻的去除過程中,傳統方法占用設備材料較多，消耗的光阻去膠液成本較高，效率較低，且在去除光阻時，存在部分光阻尤其是非登高平面上的光阻去除不徹底的弊端，影響產品的光電性能和良率。

發明內容

本發明旨在提供了一種蝕刻制程中的新型去除光阻方式。

本發明提供如下技術方案：

一種蝕刻制程中的新型去除光阻方式，包括以下步驟：

(1)將需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；

(2)將浸泡后的晶片基底放置在去光阻液中進行涮洗，一次涮洗完成后進行超聲浸泡，然后進行二次涮洗；

(3)將晶片基底放入丙酮中涮洗,然后再放置在無水乙醇溶液中涮洗，將基底水洗后,使用氮氣吹干或者旋干機進行旋干；

(4)將吹干的晶片置于等離子裝置中采用干式方法去除殘余光阻。

所述去光阻液的溫度為55-65℃。

所述步驟(2)中的超聲浸泡的超聲頻率為10Khz-50Khz，超聲時間為5-10分鐘。

所述離子裝置的偏壓功率為300W，離子化功率為500W，蝕刻時間為130s，氣體流量為15±1sccm。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明采用干濕式相結合的方法可有效去除光阻，利用等離子體及引入紫外光的方式對殘余光阻進行蝕刻，通過調節Ar氣的氣體流量比及紫外光的照度已達到有效去除殘余光阻的目的，這樣徹底消除因光阻殘留對產品造成的光電性影響，提高了產品的良率。

具體實施方式