[發明專利]一種蝕刻制程中的新型去除光阻方式在審
| 申請號： | 201811392396.3 | 申請日： | 2018-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN109541896A | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發明（設計）人： | 朱翔宇;張家偉;江富杰;李司元 | 申請（專利權）人： | 合肥新匯成微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/42 | 分類號： | G03F7/42;H01L33/36 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光阻 去除 涮洗 晶片 基底 紫外光 蝕刻制程 光阻液 浸泡 等離子體 蝕刻 無水乙醇溶液 等離子裝置 超聲浸泡 氮氣吹干 氣體流量 光電性 丙酮 吹干 放入 干式 良率 濕式 照度 殘留 引入 | ||
【權利要求書】：
1.一種蝕刻制程中的新型去除光阻方式，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；
(2)將浸泡后的晶片基底放置在去光阻液中進行涮洗，一次涮洗完成后進行超聲浸泡，然后進行二次涮洗；
(3)將晶片基底放入丙酮中涮洗,然后再放置在無水乙醇溶液中涮洗，將基底水洗后,使用氮氣吹干或者旋干機進行旋干；
(4)將吹干的晶片置于等離子裝置中采用干式方法去除殘余光阻。
2.根據權利要求1所述的一種蝕刻制程中的新型去除光阻方式，其特征在于：所述去光阻液的溫度為55-65℃。
3.根據權利要求1所述的一種蝕刻制程中的新型去除光阻方式，其特征在于：所述步驟(2)中的超聲浸泡的超聲頻率為10Khz-50Khz，超聲時間為5-10分鐘。
4.根據權利要求1所述的一種蝕刻制程中的新型去除光阻方式，其特征在于：所述離子裝置的偏壓功率為300W，離子化功率為500W，蝕刻時間為130s，氣體流量為15±1sccm。
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