[發(fā)明專利]蝕刻劑和通過利用該蝕刻劑制造顯示裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811389335.1
• 申請日: 2018-11-21
• 公開（公告）號: CN109811345B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設計）人: 樸種熙;金基泰;金真錫;金范洙;金相泰;沈慶輔;南基龍;尹暎晉;林大成
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司;東友精細化工有限公司
• 主分類號: C23F1/30
• 分類號: C23F1/30;C09K13/06;C23F1/16;H10K71/00;H10K50/805;H10K59/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;薛義丹

1.一種蝕刻劑，所述蝕刻劑包括：

基于所述蝕刻劑的總重量，

1wt％至15wt％的硫化過氧化物；

5wt％至10wt％的硝酸；

20wt％至40wt％的有機酸；

0.05wt％至5wt％的硝酸鐵；

0.1wt％至5wt％的離子螯合劑；以及

0.1wt％至5wt％的緩蝕劑，

其中，余量是去離子水，

其中，所述有機酸是乙酸，

其中，所述離子螯合劑是亞氨基二乙酸，

其中，所述緩蝕劑是草酸鹽，

其中，所述硫化過氧化物是過硫酸銨、過硫酸鈉、過硫酸鉀和過硫酸氫鉀制劑中的至少一種。

2.根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述草酸鹽是草酸鈉、草酸鉀或草酸銨。

3.根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述蝕刻劑同時蝕刻銀膜以及位于所述銀膜上方和/或下方的導電膜。

4.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括：

在基底上形成薄膜晶體管；

形成覆蓋所述薄膜晶體管的平坦化層；以及

在所述平坦化層上形成電結合到所述薄膜晶體管的第一電極，

其中，所述第一電極具有其中第一導電層、包括銀的第二導電層以及第三導電層堆疊的結構，其中，所述第一導電層和所述第三導電層是透明或半透明的電極層，并且

其中，用蝕刻劑來蝕刻所述第一電極并使所述第一電極圖案化，其中，所述蝕刻劑包括：

基于所述蝕刻劑的總重量，

1wt％至15wt％的硫化過氧化物；

5wt％至10wt％的硝酸；

20wt％至40wt％的有機酸；

0.05wt％至5wt％的硝酸鐵；

0.1wt％至5wt％的離子螯合劑；以及

0.1wt％至5wt％的緩蝕劑，

其中，余量是去離子水，

其中，所述有機酸是乙酸，

其中，所述離子螯合劑是亞氨基二乙酸，

其中，所述緩蝕劑是草酸鹽，

其中，所述硫化過氧化物是過硫酸銨、過硫酸鈉、過硫酸鉀和過硫酸氫鉀制劑中的至少一種。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，所述草酸鹽是草酸鈉、草酸鉀或草酸銨。

6.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，所述蝕刻劑同時蝕刻所述第一導電層、所述第二導電層和所述第三導電層。

7.根據(jù)權利要求4所述的方法，所述方法還包括：

通過去除所述平坦化層的一部分來形成劃分區(qū)域，

其中，在所述劃分區(qū)域中暴露用于將電信號施加到所述薄膜晶體管的多條布線，并且在所述多條布線被暴露的狀態(tài)下通過所述蝕刻劑來蝕刻所述第一電極。

8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中，以其中包括鈦的第一層、包括鋁的第二層和包括鈦的第三層堆疊的結構形成所述多條布線。

9.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中，所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極和漏電極，

其中，所述多條布線包括與所述源電極和所述漏電極的材料相同的材料。

10.根據(jù)權利要求7所述的方法，所述方法還包括：

在所述第一電極上形成中間層和第二電極，以及

在所述第二電極上形成薄膜封裝層，

其中，所述薄膜封裝層包括有機膜和比所述有機膜寬的無機膜。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述劃分區(qū)域將所述平坦化層劃分為中心部分和外側部分，

其中，將所述無機膜形成為覆蓋所述外側部分。

12.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，所述第二導電層還包括合金元素，并且所述合金元素的原子半徑等于或小于所述銀的原子半徑。