[發明專利]用于捕獲半導體制造設備的粉末的裝置有效
| 申請號: | 201811389325.8 | 申請日: | 2018-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN110581086B | 公開(公告)日: | 2023-04-14 |
| 發明(設計)人: | 徐圣旼;李赫洙;樸銖正;鄭玄鎬 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司;艾洛特真空技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理有限公司 11363 | 代理人: | 許偉群;郭放 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 捕獲 半導體 制造 設備 粉末 裝置 | ||
1.一種用于捕獲半導體制造設備中的粉末的裝置,所述裝置布置在處理室與真空泵之間,以捕獲從所述處理室排出的廢氣中的粉末,所述裝置包括:
第一捕獲單元,所述第一捕獲單元首要地用于捕獲所述廢氣中的粉末;
第二捕獲單元,所述第二捕獲單元接收來自所述第一捕獲單元的所述廢氣,以輔助地捕獲所述廢氣中的粉末;
連接管道,所述連接管道連接在所述第一捕獲單元與所述第二捕獲單元之間;以及
空氣脈動單元,所述空氣脈動單元與所述連接管道連接,以去除所述連接管道中的粉末,
其中,所述第一捕獲單元和第二捕獲單元中的任一個包括防止粉末逆流結構,所述防止粉末逆流結構包括沿所述第一捕獲單元或所述第二捕獲單元的延伸方向布置的多個捕捉翼,并且
其中,每個所述捕捉翼具有從所述第一捕獲單元或所述第二捕獲單元的側壁朝向所述第一捕獲單元或所述第二捕獲單元的中心部分突出的漏斗形狀。
2.如權利要求1所述的裝置,其中,所述捕捉翼包括通過其中心部分形成的孔,并且所述孔具有沿向下方向逐漸減小的直徑。
3.如權利要求1所述的裝置,其中,所述第一捕獲單元包括:
第一殼體,所述第一殼體具有內部空間;以及
進氣管道,所述進氣管道用于將所述廢氣引入到所述第一殼體的內部空間中,
其中,所述進氣管道定位在所述第一捕獲單元的防止粉末逆流結構的上方。
4.如權利要求3所述的裝置,其中,所述第二捕獲單元包括:
第二殼體,所述第二殼體具有內部空間;以及
排氣管道,所述排氣管道用于將所述廢氣從所述第二殼體的內部空間排出到所述真空泵,
其中,所述排氣管道定位在所述第二捕獲單元的防止粉末逆流結構的上方。
5.如權利要求4所述的裝置,其中,所述連接管道連接在所述第一殼體與所述第二殼體之間。
6.如權利要求1所述的裝置,其中,所述空氣脈動單元包括:
空氣罐,所述空氣罐用于儲存具有高壓力的空氣;
空氣脈動口,所述空氣脈動口布置在所述連接管道處;
空氣管線,所述空氣管線連接在所述空氣罐與所述空氣脈動口之間,以將空氣從所述空氣罐傳送到所述空氣脈動口;以及
閥門,所述閥門安裝在所述空氣管線處,以控制空氣的供應。
7.一種用于捕獲半導體制造設備中的粉末的裝置,所述裝置布置在處理室與真空泵之間,以捕獲從所述處理室排出的廢氣中的粉末,所述裝置包括:
第一捕獲單元,所述第一捕獲單元首要地用于捕獲所述廢氣中的粉末;
第二捕獲單元,所述第二捕獲單元接收來自所述第一捕獲單元的所述廢氣,以輔助地捕獲所述廢氣中的粉末;
連接管道,所述連接管道連接在所述第一捕獲單元與所述第二捕獲單元之間;以及
空氣脈動單元,所述空氣脈動單元與所述連接管道連接,以去除所述連接管道中的粉末,
其中,所述第一捕獲單元包括防止粉末逆流結構,所述防止粉末逆流結構包括沿所述第一捕獲單元的延伸方向布置的多個捕捉翼,
其中,所述第二捕獲單元包括捕捉盒,所述捕捉盒具有漏斗形狀,所述漏斗形狀具有沿向下方向逐漸減小的直徑,并且
其中,每個所述捕捉翼具有從所述第一捕獲單元的側壁朝向所述第一捕獲單元的中心部分突出的漏斗形狀。
8.如權利要求7所述的裝置,其中,所述連接管道具有與所述第二捕獲單元的中心軸線基本上垂直的中心軸線,并且所述連接管道位于所述第二捕獲單元不與所述連接管道相交的位置處,以為所述第二捕獲單元中的所述廢氣提供旋轉力和下降力。
9.如權利要求8所述的裝置,其中,所述捕捉翼包括通過所述捕捉翼的中心部分形成的孔,并且所述孔具有沿向下方向逐漸減小的直徑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





