[發(fā)明專利]功率放大器以及化合物半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811389121.4 | 申請日: | 2018-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN109818580B | 公開(公告)日: | 2023-08-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 大部功;田中聰;筒井孝幸;梅本康成 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H03F1/02 | 分類號: | H03F1/02;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 韓聰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率放大器 以及 化合物 半導(dǎo)體 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種能夠抑制耗電的功率放大器以及化合物半導(dǎo)體裝置。功率放大器具備初級放大電路、輸出級放大電路、初級偏置電路和輸出級偏置電路。初級放大電路包括:第一高電子遷移率晶體管,源極與基準電位電連接,柵極被輸入高頻輸入信號;和第一異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,發(fā)射極與第一高電子遷移率晶體管的漏極電連接,基極交流地與基準電位電連接,集電極被供給直流電力,從集電極輸出高頻信號。輸出級放大電路包括第二異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,該第二異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的發(fā)射極與基準電位電連接,基極被輸入從第一異質(zhì)結(jié)雙極晶體管輸出的高頻信號,集電極被供給直流電力,從集電極輸出高頻輸出信號。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及功率放大器以及化合物半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)
現(xiàn)在,移動通信系統(tǒng)正要從第四代(4G)向第五代(5G)轉(zhuǎn)換。在第五代的移動通信系統(tǒng)中,也采用頻率比第四代高的波段。隨著頻率變高,高頻電路中的功率損耗也變大。由此,對于作為第五代的通信裝置(例示有移動電話裝置)的主要部件之一的高頻功率放大器,更高增益化、高輸出化的要求變強。
在下述的專利文獻1中,記載有初級放大元件以及后級放大元件形成于相同的GaAs基板上的功率放大器。初級放大元件為增強型場效應(yīng)晶體管,后級放大元件為異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。
在先技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2010-278521號公報
在專利文獻1記載的功率放大器中,為了僅利用正電源進行動作而不需要負電源,作為初級放大元件使用增強型場效應(yīng)晶體管。
一般,即使將柵極電壓設(shè)為0V,使用了化合物半導(dǎo)體的增強型場效應(yīng)晶體管也流過不能忽視的程度(例如,1×10-6A程度)的漏極電流Idss,無法完全遮斷。該漏極電流Idss是溫度越高,變得越多。作為其結(jié)果,存在通信裝置的電池的耗電變多的問題。如果電池的耗電變多,則連續(xù)通話時間變短。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
本發(fā)明是鑒于上述而完成的,其目的在于能夠抑制耗電。
用于解決課題的技術(shù)方案
本發(fā)明的一個方面的功率放大器具備:初級放大電路,包括:第一高電子遷移率晶體管,源極與基準電位電連接,柵極被輸入高頻信號;和第一異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,發(fā)射極與第一高電子遷移率晶體管的漏極電連接,基極交流地與基準電位電連接,集電極被供給直流電力,從集電極輸出高頻信號;輸出級放大電路,包括:第二異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,發(fā)射極與基準電位電連接,基極被輸入從第一異質(zhì)結(jié)雙極晶體管輸出的高頻信號,集電極被供給直流電力,從集電極輸出高頻輸出信號;初級偏置電路,向第一高電子遷移率晶體管的柵極以及第一異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極輸出偏置電壓;和輸出級偏置電路,向第二異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極輸出偏置電壓。
在該結(jié)構(gòu)中,在第一高電子遷移率晶體管的柵極電壓以及第一異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極電壓為0V的情況下,第一異質(zhì)結(jié)雙極晶體管成為遮斷區(qū)域,發(fā)射極電流不流過,關(guān)閉。因此,漏極電流不流過第一高電子遷移率晶體管。因此,功率放大器由于能夠抑制無用的電流流過,由此能夠抑制耗電。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明,能夠抑制耗電。
附圖說明
圖1是示出第一實施方式的功率放大器的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是示出第一實施方式的功率放大器的電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖3是示出第二實施方式的功率放大器的初級偏置電路的電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖4是示出第三實施方式的功率放大器的初級偏置電路的電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖5是示出第四實施方式的功率放大器的初級偏置電路的電路結(jié)構(gòu)的圖。
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