[發明專利]功率放大器以及化合物半導體裝置

有效

• 申請號: 201811389121.4
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN109818580B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 大部功;田中聰;筒井孝幸;梅本康成
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 韓聰

1.一種功率放大器，具備：

初級放大電路，包括：第一高電子遷移率晶體管，源極與基準電位電連接，柵極被輸入高頻輸入信號；和第一異質結雙極晶體管，發射極與所述第一高電子遷移率晶體管的漏極電連接，基極經由第一節點交流地與基準電位電連接，集電極被供給直流電力，從集電極輸出高頻信號；

輸出級放大電路，包括：第二異質結雙極晶體管，發射極與基準電位電連接，基極被輸入從所述第一異質結雙極晶體管輸出的所述高頻信號，集電極被供給直流電力，從集電極輸出高頻輸出信號；

初級偏置電路，向所述第一高電子遷移率晶體管的柵極輸出第一偏置電壓，并向所述第一異質結雙極晶體管的基極輸出第二偏置電壓；和

輸出級偏置電路，向所述第二異質結雙極晶體管的基極輸出第三偏置電壓，

所述初級偏置電路包括：

第三異質結雙極晶體管，基極與所述第一節點電連接；

第四異質結雙極晶體管，基極與所述第一節點電連接，發射極與第二節點電連接，所述第二節點與所述第一高電子遷移率晶體管的柵極電連接；和

電容器，連接在所述第一節點和所述基準電位之間。

2.根據權利要求1所述的功率放大器，其中，

所述第一高電子遷移率晶體管為耗盡型。

3.根據權利要求1或者2所述的功率放大器，其中，

所述初級偏置電路包括：

所述第一節點，被供給基準電流，與所述第一異質結雙極晶體管的基極電連接；

第二高電子遷移率晶體管，源極與基準電位電連接；

所述第三異質結雙極晶體管，發射極與所述第二高電子遷移率晶體管的漏極電連接，集電極與所述第一節點電連接；

所述第四異質結雙極晶體管，集電極與電源電位電連接；

第一電阻，電連接于所述第二節點與所述第一高電子遷移率晶體管的柵極之間；

第二電阻，電連接于所述第二節點與所述第二高電子遷移率晶體管的柵極之間；和

第三電阻，電連接于所述第二節點與基準電位之間。

4.根據權利要求3所述的功率放大器，其中，

在所述第四異質結雙極晶體管的基極與所述第一節點之間以及所述第四異質結雙極晶體管的發射極與所述第二節點之間當中的至少一個位置電連接有電阻。

5.根據權利要求4所述的功率放大器，其中，

在所述第四異質結雙極晶體管的發射極與所述第二節點之間電連接有電阻。

6.根據權利要求3所述的功率放大器，其中，

在所述第二節點與基準電位之間、所述第二高電子遷移率晶體管的柵極與基準電位之間、所述第二高電子遷移率晶體管的柵極與漏極之間以及所述第二節點與所述第二高電子遷移率晶體管的漏極之間當中的至少一個位置電連接有電容器。

7.根據權利要求6所述的功率放大器，其中，

在所述第二高電子遷移率晶體管的柵極與漏極之間或者所述第二節點與所述第二高電子遷移率晶體管的漏極之間電連接有電容器。

8.根據權利要求3所述的功率放大器，其中，

所述功率放大器還具備：基準電流生成電路，基于控制信號，將所述基準電流輸出到所述第一節點，

所述基準電流生成電路包括：

恒流電路，能夠將所述基準電流輸出到所述第一節點；

開關，能夠將所述第一節點與基準電位之間電連接；和

控制電路，在所述控制信號為第一值的情況下，控制所述恒流電路，使得輸出所述基準電流，并且，控制所述開關，使得不將所述第一節點與基準電位之間電連接，在所述控制信號為第二值的情況下，控制所述恒流電路，使得不輸出所述基準電流，并且，控制所述開關，使得將所述第一節點與基準電位之間電連接。

9.一種化合物半導體裝置，其中，在同一化合物半導體芯片上形成有權利要求1～7中的任一項所述的功率放大器中的至少所述初級放大電路、所述輸出級放大電路、所述初級偏置電路以及所述輸出級偏置電路。