[發(fā)明專利]一種電平轉(zhuǎn)換電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811388788.2 | 申請日： | 2018-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN109379074A | 公開（公告）日： | 2019-02-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孔亮;劉亞東;莊志青 | 申請（專利權(quán)）人： | 燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0175 | 分類號： | H03K19/0175;H03K19/0185;H03K19/017 |
| 代理公司： | 上海灣谷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 李曉星 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)自由*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電平轉(zhuǎn)換電路 漏極 柵極連接 傳統(tǒng)電平 對稱結(jié)構(gòu) 控制信號 源極連接 漏電 比較器 低增益 電源 轉(zhuǎn)換 | ||
1.一種電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，其中，
所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的各自源極連接電源VDDIO；
所述第一PMOS管的柵極連接控制信號ENIO；
所述第二PMOS管和第三PMOS管的各自柵極連接所述第二PMOS管的漏極；
所述第二PMOS管的漏極連接所述第一NMOS管的漏極；
所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管的各自源極接地VSSIO；
所述第一NMOS管的柵極、第二NMOS管的柵極和漏極、第三NMOS管的漏極以及第四NMOS管的柵極均連接所述第四PMOS管的漏極；
所述第三NMOS管的柵極、第四NMOS管的漏極、第五NMOS管的漏極和柵極以及第六NMOS管的柵極均連接所述第五PMOS管的漏極；
所述第一PMOS管的漏極連接所述第四PMOS管的源極和所述第五PMOS管的源極；
所述第四PMOS管的柵極和所述第五PMOS管的柵極連接差分信號對；
所述第三PMOS管的漏極和所述第六NMOS管的漏極連接并作為輸出端OUT。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述的差分信號對由數(shù)據(jù)信號經(jīng)過經(jīng)反相器產(chǎn)生。
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