[發(fā)明專利]一種刻蝕均勻性調(diào)節(jié)裝置及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811386073.3
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN111199860A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉小波;李雪冬;邱勇;李娜;侯永剛;胡冬冬;陳璐;許開東
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇魯汶儀器有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/24;H01J37/305
• 代理公司: 北京得信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11511
• 代理人: 孟海娟;崔建麗

1.一種刻蝕均勻性調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，

包括：并聯(lián)的電感和電容，其一端與位于刻蝕機(jī)的靜電吸盤邊緣的內(nèi)置環(huán)相連接，另一端接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕均勻性調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，

所述電感為空心或磁芯電感，其自共振頻率高于刻蝕機(jī)的下電極射頻電源的頻率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕均勻性調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，

所述電容為可調(diào)或馬達(dá)電容。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的刻蝕均勻性調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，

所述電感的自共振頻率不超過下電極射頻電源的頻率的2倍范圍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕均勻性調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，

所述電容的自共振頻率是下電極射頻電源的頻率的5倍以上。

6.一種刻蝕均勻性調(diào)節(jié)方法，使用權(quán)利要求1中所述的調(diào)節(jié)刻蝕均勻性的裝置，其特征在于，

包括以下步驟：

判斷刻蝕均勻性調(diào)節(jié)裝置的共振頻率與刻蝕機(jī)的下電極射頻電源的頻率是否相同；

當(dāng)判斷為不相同時，調(diào)節(jié)所述電容的電容值，使所述刻蝕均勻性調(diào)節(jié)裝置的共振頻率接近刻蝕機(jī)的下電極射頻電源的頻率，從而使晶圓邊緣的刻蝕速率與晶圓中央?yún)^(qū)的刻蝕速率一致。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的刻蝕均勻性調(diào)節(jié)方法，其特征在于，

當(dāng)刻蝕均勻性調(diào)節(jié)裝置的共振頻率低于下電極射頻電源的頻率時，調(diào)高所述電容的電容值，晶圓邊緣的刻蝕速率逐漸降低。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的刻蝕均勻性調(diào)節(jié)方法，其特征在于，

當(dāng)刻蝕均勻性調(diào)節(jié)裝置的共振頻率高于下電極射頻電源的頻率時，調(diào)低所述電容的電容值，晶圓邊緣的刻蝕速率逐漸升高。