[發明專利]半導體存儲器的檢測電路及檢測方法

在審

• 申請號: 201811385738.9
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN111199769A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 鄧升成
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

本公開是關于一種半導體存儲器的檢測電路及檢測方法。該檢測電路包括存儲單元、存儲控制單元及PRBS檢測電路。所述存儲控制單元與所述存儲單元連接，所述PRBS檢測單元包括第一PRBS檢測模塊和第二PRBS檢測模塊，所述第一PRBS檢測模塊位于所述存儲控制單元內，所述第二PRBS檢測模塊位于所述儲存單元內；所述第一PRBS檢測模塊與所述第二PRBS檢測模塊能夠產生相同的PRBS數據，其中一個PRBS檢測模塊能夠將產生的所述PRBS數據通過所述存儲控制單元與所述儲存單元之間的通信路徑發送到另一個PRBS檢測模塊，另一PRBS檢測模塊將接收到的PRBS數據與自身產生的PRBS數據進行比較，若數據一致，則判斷所述通信路徑正確，若數據不一致，則判斷所述通信路徑出錯。

技術領域

本公開涉及半導體儲存器技術領域，具體而言，涉及一種半導體存儲器的檢測電路及半導體存儲器的檢測方法。

背景技術

動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導體存儲器。與靜態存儲器(SRAM)相比，動態隨機存取存儲器的優勢在于結構簡單。每一個比特的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在靜態存儲器上一個比特通常需要六個晶體管。正是因此，動態隨機存取存儲器擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低，動態隨機存取存儲器得到了越來越多的應用。

在高帶寬顯存和一些多芯片封裝應用場景時，動態隨機存取存儲器和動態隨機存取存儲控制器所在芯片被封裝在一塊芯片中，在出錯時無法量測信號，更難以區分讀還是寫出錯。

需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

本公開的目的在于提供一種能夠檢測半導體儲存器中的通信路徑是否正確的新的技術方案。

根據本公開的一個方面，提供了一種半導體存儲器的檢測電路。該檢測電路包括：

存儲單元；

存儲控制單元，與所述存儲單元連接；

PRBS(Pseudo Random Bit Sequence，偽隨機位序列)檢測單元，包括第一PRBS檢測模塊和第二PRBS檢測模塊，所述第一PRBS檢測模塊位于所述存儲控制單元內，所述第二PRBS檢測模塊位于所述儲存單元內；

所述第一PRBS檢測模塊與所述第二PRBS檢測模塊能夠產生相同的PRBS數據，其中一個PRBS檢測模塊能夠將產生的所述PRBS數據通過所述存儲控制單元與所述儲存單元之間的通信路徑發送到另一個PRBS檢測模塊，另一PRBS檢測模塊將接收到的PRBS數據與自身產生的PRBS數據進行比較，若數據一致，則判斷所述通信路徑正確，若數據不一致，則判斷所述通信路徑出錯。

在本公開的一示例性實施例中，所述第二PRBS檢測模塊還能夠將產生的PRBS數據寫入存儲單元中的存儲陣列模塊，并能夠從所述存儲陣列模塊讀取所述PRBS數據，然后將讀取的PRBS數據與產生的PRBS數據進行比較，若數據一致，則判斷所述存儲陣列模塊正確，若數據不一致，則判斷所述存儲陣列模塊出錯。

在本公開的一示例性實施例中，所述第一PRBS檢測模塊與所述第二PRBS檢測模塊產生相同的PRBS數據，所述第一PRBS模塊將產生的所述PRBS數據通過所述存儲控制單元與所述儲存單元之間的寫入路徑發送到所述第二PRBS檢測模塊，所述第二PRBS檢測模塊將接收的PRBS數據與自身產生的PRBS數據進行比較，若數據一致，則判斷所述寫入路徑正確，若數據不一致，則判斷寫入路徑出錯。