[發明專利]半導體存儲器的檢測電路及檢測方法

在審

• 申請號: 201811385738.9
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN111199769A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 鄧升成
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種半導體存儲器的檢測電路，其特征在于，包括：

存儲單元；

存儲控制單元，與所述存儲單元連接；

PRBS檢測單元，包括第一PRBS檢測模塊和第二PRBS檢測模塊，所述第一PRBS檢測模塊位于所述存儲控制單元內，所述第二PRBS檢測模塊位于所述儲存單元內；

所述第一PRBS檢測模塊與所述第二PRBS檢測模塊能夠產生相同的PRBS數據，其中一個PRBS檢測模塊能夠將產生的所述PRBS數據通過所述存儲控制單元與所述儲存單元之間的通信路徑發送到另一個PRBS檢測模塊，另一PRBS檢測模塊將接收到的PRBS數據與自身產生的PRBS數據進行比較，若數據一致，則判斷所述通信路徑正確，若數據不一致，則判斷所述通信路徑出錯。

2.根據權利要求1所述的檢測電路，其特征在于，所述第二PRBS檢測模塊還能夠將產生的PRBS數據寫入所述存儲單元中的存儲陣列模塊，并能夠從所述存儲陣列模模塊讀取所述PRBS數據，并將讀取的PRBS數據與產生的PRBS數據進行比較，若數據一致，則判斷所述存儲陣列模塊正確，若數據不一致，則判斷所述存儲陣列模塊出錯。

3.根據權利要求1所述的檢測電路，其特征在于，所述第一PRBS檢測模塊與所述第二PRBS檢測模塊產生相同的PRBS數據，所述第一PRBS模塊將產生的所述PRBS數據通過所述存儲控制單元與所述儲存單元之間的寫入路徑發送到所述第二PRBS檢測模塊，所述第二PRBS檢測模塊將接收的PRBS數據與自身產生的PRBS數據進行比較，若數據一致，則判斷所述寫入路徑正確，若數據不一致，則判斷寫入路徑出錯。

4.根據權利要求1所述的檢測電路，其特征在于，所述第一PRBS檢測模塊與所述第二PRBS檢測模塊產生相同的PRBS數據，所述第二PRBS模塊將產生的所述PRBS數據通過所述存儲單元與所述儲存控制單元之間的讀取路徑發送到所述第一PRBS檢測模塊，所述第一PRBS檢測模塊將接收的PRBS數據與自身產生的PRBS數據進行比較，若數據一致，則判斷所述讀取路徑正確，若數據不一致，則判斷讀取路徑出錯。

5.根據權利要求3所述的檢測電路，其特征在于，所述寫入路徑包括第一PRBS檢測模塊、數據寫入及讀取控制模塊、第一數據接口、第二數據接口、數據控制模塊、第二PRBS檢測模塊，所述第一PRBS檢測模塊的輸出端連接所述數據寫入及讀取控制模塊，所述數據寫入及讀取控制模塊連接所述第一數據接口，所述第一數據接口連接所述第二數據接口，所述第二數據接口連接所述數據控制模塊，所述數據控制模塊連接所述第二PRBS檢測模塊的輸入端。

6.根據權利要求4所述的檢測方法，其特征在于，所述讀取路徑包括第二PRBS檢測模塊、數據控制模塊、第二數據接口、第一數據接口、數據寫入及讀取控制模塊、第一PRBS檢測模塊，所述第二PRBS檢測模塊的輸出端連接所述數據控制模塊，所述數據控制模塊連接所述第二數據接口，所述第二數據接口連接所述第一數據接口，所述第一數據接口連所述接數據寫入及讀取控制模塊，所述數據寫入及讀取控制模塊連接所述第一PRBS檢測模塊的輸入端。

7.根據權利要求2所述的檢測電路，其特征在于，所述第二PRBS檢測模塊的輸入端和輸出端都與存儲陣列模塊連接。

8.根據權利要求2所述的檢測電路，其特征在于，所述存儲陣列模塊包括電容陣列與先入先出寄存器。