[發明專利]用于均勻晶圓平坦化和接合的錨定結構和方法

有效

• 申請號: 201811384924.0
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN110010628B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 魏嘉余;李承遠;陳信吉;李國政;黃熏瑩;林彥良
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明實施例針對錨定結構和用于形成錨定結構的方法，從而使得平坦化和晶圓接合可以是均勻的。錨定結構可以包括形成在介電層表面上的錨定層和形成在錨定層中和介電層表面上的錨定焊盤。錨定層材料可以選擇為使得錨定層、錨定焊盤和互連材料的平坦化選擇性可以彼此基本相同。錨定焊盤可以提供具有相同或類似材料的均勻密度的結構。本發明實施例涉及用于均勻晶圓平坦化和接合的錨定結構和方法。

技術領域

本發明實施例涉及用于均勻晶圓平坦化和接合的錨定結構和方法。

背景技術

半導體圖像傳感器件用于感測輻射，諸如光。互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器(CIS)和電耦合器件(CCD)傳感器用于各種應用，例如數碼相機或手機攝像頭應用。這些器件利用襯底中的像素陣列(其可以包括光電二極管和晶體管)，以吸收(例如，感測)投射到襯底上的輻射并且將感測的輻射轉換成電信號。

發明內容

根據本發明的一些實施例，提供了一種圖像傳感器件，包括：第一管芯，包括：第一襯底；第一介電層，位于所述第一襯底正上方；第一錨定層，位于所述第一介電層正上方；第一互連結構，形成在所述第一介電層和所述第一錨定層中；以及第一錨定焊盤，形成在所述第一錨定層中并且位于所述第一介電層正上方；以及第二管芯，接合至所述第一管芯，其中，所述第二管芯包括：第二襯底；第二介電層，位于所述第二襯底正上方；第二錨定層，位于所述第二介電層正上方；第二互連結構，與所述第一互連結構接觸，其中，所述第二互連結構形成在所述第二介電層和所述第二錨定層中；以及第二錨定焊盤，形成在所述第二錨定層中并且位于所述第二介電層正上方，其中，所述第一互連結構和所述第二互連結構、所述第一錨定層和所述第二錨定層以及所述第一錨定焊盤和所述第二錨定焊盤分別接合至彼此。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種用于形成圖像傳感器件的方法，所述方法包括：提供襯底；在所述襯底正上方沉積蝕刻停止層；在所述蝕刻停止層正上方沉積介電層；在所述介電層正上方沉積錨定層；在所述襯底上形成穿過所述介電層和所述錨定層的再分布結構；以及在所述錨定層中和所述介電層正上方形成多個錨定焊盤。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種圖像傳感器系統，包括：再分布區域，包括在界面處接合的第一再分布結構和第二再分布結構；像素區域，包括在所述界面處接合的多個第一錨定焊盤和多個第二錨定焊盤，其中，所述像素區域包括多個像素；以及第一錨定層和第二錨定層，在所述界面處接合并且延伸穿過所述再分布區域和所述像素區域，其中，第一錨定焊盤和第二錨定焊盤分別形成在所述第一錨定層和所述第二錨定層中。

附圖說明

當接合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的說明和討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1是根據一些實施例的背照式圖像傳感器件的截面圖。

圖2是根據一些實施例的圖像傳感器件的截面圖。

圖3是根據一些實施例的圖像傳感器件的截面圖。

圖4A至圖4B是根據一些實施例的圖像傳感器件的相應的等軸和頂視圖。

圖5是根據一些實施例的圖像傳感器件的等軸視圖。

圖6是根據一些實施例的圖像傳感器件的等軸視圖。

圖7是根據一些實施例的形成圖像傳感器件的示例性方法的流程圖。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。