[發(fā)明專利]一種阻型存儲器結構

在審

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• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN109300933A
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設計）人: 張一平;王子歐;張立軍;朱燦焰
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;G11C11/56
• 代理公司: 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251
• 代理人: 陸金星

本發(fā)明公開了一種阻型存儲器結構，包括MOSFET管、復數(shù)個阻型存儲單元和復數(shù)條對應阻型存儲單元的位線；所述MOSFET管的源極連接到源極線，柵極連接到字線，漏極分別連接到各阻型存儲單元的一端，各阻型存儲單元的另一端連接到其對應的位線。本發(fā)明能夠減小阻型存儲器的面積，提高阻型存儲器的存儲密度。

技術領域

本發(fā)明涉及存儲器技術領域，具體涉及一種阻型存儲器結構。

背景技術

近年來隨著計算機技術、互聯(lián)網(wǎng)技術的飛速發(fā)展，非易失性存儲器件在半導體行業(yè)中扮演越來越重要的角色。在非易失性存儲器件中，即使當電源被切斷，器件的基本單元仍保持基本單元中存儲的數(shù)據(jù)。電阻型隨機存儲器（如RRAM、MRAM、FeRAM、PRAM等）是一種新型非易失性存儲器，其工作的機理是在外電場觸發(fā)可逆電阻轉變效應，即在外加電壓的作用下，器件的電阻在低阻態(tài)（“0”）和高阻態(tài)（“1”）之間可逆轉變，并且所得到的電阻在外電場去除后可以保持下來。電阻型存儲器由于具有高的讀寫速度、高集成度和多值存儲能力等特點，而成為現(xiàn)階段研究的熱點。

參見附圖1所示，現(xiàn)有的阻型存儲器通常由一個MOSFET管M1和一個阻型存儲單元R1組成，當其字線WL電壓為高時，這個單元的字線WL被選中，此時可以進行讀寫操作。隨著工藝的改進，阻型存儲器的面積受MOSFET管的限制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種阻型存儲器結構，能夠減小阻型存儲器的面積，提高阻型存儲器的存儲密度。

為達到上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術方案是：一種阻型存儲器結構，包括MOSFET管、復數(shù)個阻型存儲單元和復數(shù)條對應阻型存儲單元的位線；

所述MOSFET管的源極連接到源極線，柵極連接到字線，漏極分別連接到各阻型存儲單元的一端，各阻型存儲單元的另一端連接到其對應的位線，各所述位線中有且僅有一條被置讀寫電壓。

上文中，僅選擇其中一條位線置讀寫電壓，其它位線浮空，不讀寫。

上述技術方案中，所述MOSFET管為N型MOSFET管。

上述技術方案中，所述阻型存儲單元的數(shù)量為5萬~500萬個。

上述技術方案中，所述MOSFET管的面積占阻型存儲器面積的30%~50%。對于MOSFET管的面積在阻型存儲器面積中的占比，本發(fā)明不做具體限定，典型但非限制性的可以是30%、31%、32%、33%、34%、35%、36%、37%、38%、39%、40%、41%、42%、43%、44%、45%、46%、47%、48%、49%、50%。優(yōu)選為40%。

由于上述技術方案運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有下列優(yōu)點：

1．本發(fā)明通過在MOSFET管的漏極并聯(lián)連接多個阻型存儲單元，并且各阻型存儲單元都連接有一條位線，通過給位線置讀寫電壓來控制對應的阻型存儲單元讀寫，能夠減小阻型存儲器的面積，提高阻型存儲器的存儲密度；

2．本發(fā)明的各阻型存儲的單元共用一個MOSFET管，可以適當增大MOSFET管的寬度，減小MOSFET管的導通電阻，提高讀寫的成功率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明背景技術中的現(xiàn)有阻型存儲器的結構示意圖。

圖2是本發(fā)明實施例一的阻型存儲器的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步描述：

實施例一：

參見圖2所示，一種阻型存儲器結構，包括MOSFET管M1、復數(shù)個阻型存儲單元R1、R2、…RN和復數(shù)條對應阻型存儲單元的位線BL1、BL2、…BLN；