[發(fā)明專利]一種阻型存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811384438.9
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN109300933A
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張一平;王子歐;張立軍;朱燦焰
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;G11C11/56
• 代理公司: 蘇州翔遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32251
• 代理人: 陸金星

1.一種阻型存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括MOSFET管、復(fù)數(shù)個(gè)阻型存儲(chǔ)單元和復(fù)數(shù)條對應(yīng)阻型存儲(chǔ)單元的位線；

所述MOSFET管的源極連接到源極線，柵極連接到字線，漏極分別連接到各阻型存儲(chǔ)單元的一端，各所述阻型存儲(chǔ)單元的另一端連接到其對應(yīng)的位線，各所述位線中有且僅有一條被置讀寫電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻型存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述MOSFET管為N型MOSFET管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻型存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述阻型存儲(chǔ)單元的數(shù)量為5萬~500萬個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻型存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述MOSFET管的面積占阻型存儲(chǔ)器面積的30%~50%。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的阻型存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述MOSFET管的面積占阻型存儲(chǔ)器面積的40%。