[發(fā)明專利]檢測(cè)缺陷的方法和用于執(zhí)行該方法的設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811383582.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109839391A | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋弦昔;姜仁勇;樸鐘主 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G01N23/00 | 分類號(hào): | G01N23/00 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 趙南;張青 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 電子束 檢測(cè) 掃描 剩余區(qū)域 二次掃描 掃描過(guò)程 著地 | ||
1.一種檢測(cè)缺陷的方法,所述方法包括:
使用第一電子束來(lái)初步掃描襯底的區(qū)域;
檢測(cè)第一缺陷;
使用第二電子束來(lái)二次掃描襯底的第一剩余區(qū)域;以及
檢測(cè)第二缺陷,其中,所述襯底的所述第一剩余區(qū)域是通過(guò)從所述襯底的所述區(qū)域排除所述第一缺陷所位于的第一部分來(lái)定義的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,檢測(cè)所述第一缺陷包括:
使用第一電子束來(lái)初步掃描所述襯底的所述區(qū)域以獲得第一圖像;以及
將第一缺陷檢測(cè)靈敏度應(yīng)用于所述第一圖像以檢測(cè)所述第一缺陷。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其中,檢測(cè)所述第一缺陷包括:
測(cè)量第一圖像與不包括缺陷的正常襯底的參考圖像之間的電壓差;以及
將所述第一缺陷檢測(cè)靈敏度應(yīng)用于所述電壓差。
4.如權(quán)利要求2所述的方法,其中,檢測(cè)所述第二缺陷包括:
使用第二電子束來(lái)二次掃描所述襯底的所述第一剩余區(qū)域;
獲得第二圖像;以及
將第二缺陷檢測(cè)靈敏度應(yīng)用于所述第二圖像以便檢測(cè)所述第二缺陷,其中,所述第二缺陷檢測(cè)靈敏度高于所述第一缺陷檢測(cè)靈敏度,并且其中,第二缺陷的大小小于所述第一缺陷的大小。
5.如權(quán)利要求4所述的方法,其中,獲得所述第二圖像包括:
提供強(qiáng)度高于所述第一電子束的強(qiáng)度所述第二電子束;以及
使用所述第二電子束來(lái)二次掃描所述襯底的所述第一剩余區(qū)域,以便提供可見度高于所述第一圖像的可見度的所述第二圖像。
6.如權(quán)利要求4所述的方法,其中,檢測(cè)所述第二缺陷包括:
測(cè)量所述第二圖像與沒有缺陷的正常襯底的參考圖像之間的電壓差;以及
將所述第二缺陷檢測(cè)靈敏度應(yīng)用于所述電壓差。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
使用初步電子束來(lái)掃描所述襯底的所述區(qū)域,以及
將所述襯底的所述區(qū)域劃分為圖案化區(qū)域和非圖案化區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,將所述襯底的所述區(qū)域劃分為所述圖案化區(qū)域和所述非圖案化區(qū)域包括:
使用初步電子束來(lái)掃描所述襯底的所述區(qū)域;
獲得初步圖像;以及
將初步缺陷檢測(cè)靈敏度應(yīng)用于所述初步圖像,所述初步缺陷檢測(cè)靈敏度低于所述第一缺陷檢測(cè)靈敏度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,將所述初步缺陷檢測(cè)靈敏度應(yīng)用于所述初步圖像包括:
測(cè)量所述初步圖像與沒有缺陷的正常襯底的參考圖像之間的電壓差;以及
將所述初步缺陷檢測(cè)靈敏度應(yīng)用于所述電壓差。
10.如權(quán)利要求8所述的方法,其中,獲得所述初步圖像包括:
提供強(qiáng)度低于所述第一電子束的強(qiáng)度的初步電子束;以及
使用所述初步電子束掃描所述襯底的所述區(qū)域,以便提供可見度低于第一圖像的可見度的初步圖像,所述第一圖像是通過(guò)使用所述第一電子束來(lái)初步掃描所述襯底的所述區(qū)域而獲得的。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,使用所述第一電子束來(lái)初步掃描所述襯底的所述區(qū)域包括:使用所述第一電子束來(lái)初步掃描所述襯底的所述圖案化區(qū)域。
12.如權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
使用第三電子束來(lái)第三次掃描所述襯底的第二剩余區(qū)域以檢測(cè)第三缺陷,其中,所述襯底的所述第二剩余區(qū)域是通過(guò)從所述第一剩余區(qū)域排除所述第二缺陷所位于的第二部分來(lái)定義的。
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N23-00 利用未包括在G01N 21/00或G01N 22/00組內(nèi)的波或粒子輻射來(lái)測(cè)試或分析材料,例如X射線、中子
G01N23-02 .通過(guò)使輻射透過(guò)材料
G01N23-20 .利用輻射的衍射,例如,用于測(cè)試晶體結(jié)構(gòu);利用輻射的反射
G01N23-22 .通過(guò)測(cè)量二次發(fā)射
G01N23-221 ..利用活化分析法
G01N23-223 ..通過(guò)用X射線輻照樣品以及測(cè)量X射線熒光
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