[發(fā)明專(zhuān)利]檢測(cè)缺陷的方法和用于執(zhí)行該方法的設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811383582.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109839391A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋弦昔;姜仁勇;樸鐘主 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N23/00 | 分類(lèi)號(hào): | G01N23/00 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 趙南;張青 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 電子束 檢測(cè) 掃描 剩余區(qū)域 二次掃描 掃描過(guò)程 著地 | ||
在檢測(cè)缺陷的方法中,可以使用第一電子束來(lái)初步掃描襯底的區(qū)域以檢測(cè)第一缺陷。可以使用第二電子束來(lái)二次掃描所述襯底的剩余區(qū)域以檢測(cè)第二缺陷,所述襯底的所述剩余區(qū)域可以是通過(guò)從所述襯底的所述區(qū)域中排除所述第一缺陷可能位于的部分來(lái)定義的。因此,可以在隨后的掃描過(guò)程中不掃描具有缺陷的部分,從而可以顯著地減少掃描時(shí)間。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
通過(guò)引用方式將2017年11月29日提交的題為“Method of Detecting a Defectand Apparatus for Performing the Same”的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.10-2017-0161876整體并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及用于檢測(cè)缺陷的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)
電子束可用于檢測(cè)襯底上的缺陷。根據(jù)一種方法,可以使用電子束來(lái)多次掃描襯底的整個(gè)表面以獲得平均圖像。然后可以將平均圖像與參考圖像進(jìn)行比較以檢測(cè)缺陷。
該方法可能具有若干缺點(diǎn)。例如,無(wú)論是否檢測(cè)到缺陷,都會(huì)使用電子束來(lái)多次掃描襯底的整個(gè)表面。因此,掃描時(shí)間可能很長(zhǎng)。此外,無(wú)論缺陷的大小,都會(huì)使用相同的靈敏度來(lái)檢測(cè)所述缺陷。因此,可能檢測(cè)不到非常小的缺陷。可以使用高靈敏度來(lái)檢測(cè)非常小的缺陷。然而,當(dāng)對(duì)襯底的整個(gè)表面使用高靈敏度時(shí),會(huì)增加用于檢測(cè)缺陷的時(shí)間。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例,一種檢測(cè)缺陷的方法包括:使用第一電子束來(lái)初步掃描襯底的區(qū)域;檢測(cè)第一缺陷;使用第二電子束來(lái)二次掃描襯底的第一剩余區(qū)域;以及檢測(cè)第二缺陷,其中,所述襯底的所述第一剩余區(qū)域是通過(guò)從所述襯底的所述區(qū)域排除所述第一缺陷所位于的第一部分來(lái)定義的。
根據(jù)一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施例,一種用于檢測(cè)缺陷的方法包括:使用初步電子束掃描襯底的整個(gè)區(qū)域;獲得初步圖像;將初步缺陷檢測(cè)靈敏度應(yīng)用于所述初步圖像;將所述襯底的所述整個(gè)區(qū)域劃分為圖案化區(qū)域和非圖案化區(qū)域;使用第一電子束來(lái)初步掃描所述襯底的所述圖案化區(qū)域;獲得第一圖像;將第一缺陷檢測(cè)靈敏度應(yīng)用于所述第一圖像,所述第一缺陷檢測(cè)靈敏度高于所述初步缺陷檢測(cè)靈敏度;檢測(cè)第一缺陷;使用第二電子束來(lái)二次掃描所述圖案化區(qū)域的第一剩余區(qū)域,所述圖案化區(qū)域的所述第一剩余區(qū)域是通過(guò)從所述圖案化區(qū)域排除所述第一缺陷所位于的第一部分來(lái)定義的;獲得第二圖像;將第二缺陷檢測(cè)靈敏度應(yīng)用于所述第二圖像,所述第二缺陷檢測(cè)靈敏度高于所述第一缺陷檢測(cè)靈敏度;以及檢測(cè)第二缺陷。
根據(jù)一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施例,一種用于檢測(cè)缺陷的設(shè)備包括:掃描儀,其使用電子束來(lái)多次掃描襯底以檢測(cè)缺陷;以及控制器,其將所述襯底的剩余區(qū)域設(shè)置為所述掃描儀中的掃描區(qū)域,所述襯底的所述剩余區(qū)域是通過(guò)從先前掃描的區(qū)域中排除所述缺陷所位于的部分來(lái)定義的。
根據(jù)一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施例,一種包括指令的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì),所述指令被執(zhí)行時(shí)使控制器控制以下各項(xiàng)操作:使用第一電子束來(lái)初步掃描襯底的區(qū)域;檢測(cè)第一缺陷;使用第二電子束來(lái)二次掃描所述襯底的第一剩余區(qū)域;以及檢測(cè)第二缺陷,其中,所述襯底的所述第一剩余區(qū)域是通過(guò)從所述襯底的所述區(qū)域排除所述第一缺陷所位于的第一部分來(lái)定義的。
附圖說(shuō)明
通過(guò)參考附圖來(lái)詳細(xì)描述示例性實(shí)施例,各特征對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得明白易懂,在附圖中:
圖1示出了用于檢測(cè)缺陷的設(shè)備的實(shí)施例;
圖2示出了用于檢測(cè)缺陷的方法的實(shí)施例;
圖3示出了具有圖案化區(qū)域和非圖案化區(qū)域的襯底的實(shí)施例;
圖4示出了參考圖像和初步圖像之間的電壓差的示例;
圖5示出了具有通過(guò)初步掃描檢測(cè)到第一缺陷的區(qū)域的襯底的示例;
圖6示出了參考圖像和通過(guò)初步掃描獲得的第一圖像之間的電壓差的示例;
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于三星電子株式會(huì)社,未經(jīng)三星電子株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811383582.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N23-00 利用未包括在G01N 21/00或G01N 22/00組內(nèi)的波或粒子輻射來(lái)測(cè)試或分析材料,例如X射線(xiàn)、中子
G01N23-02 .通過(guò)使輻射透過(guò)材料
G01N23-20 .利用輻射的衍射,例如,用于測(cè)試晶體結(jié)構(gòu);利用輻射的反射
G01N23-22 .通過(guò)測(cè)量二次發(fā)射
G01N23-221 ..利用活化分析法
G01N23-223 ..通過(guò)用X射線(xiàn)輻照樣品以及測(cè)量X射線(xiàn)熒光
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
- 檢測(cè)方法、檢測(cè)裝置和檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法以及記錄介質(zhì)
- 檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)組件、檢測(cè)裝置以及檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法及檢測(cè)程序
- 檢測(cè)電路、檢測(cè)裝置及檢測(cè)系統(tǒng)





