[發明專利]電子設備、LED數碼管結構及其反向漏電流測量方法與裝置

有效

• 申請號: 201811383323.8
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN111276080B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 薛升;周博;黃濤;李奇峰;楊云
• 申請（專利權）人: 比亞迪半導體股份有限公司
• 主分類號: G09G3/14
• 分類號: G09G3/14;G09G3/00;G01R31/52
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325
• 代理人: 譚果林

1.一種LED數碼管結構，其特征在于，所述LED數碼管結構包括多個數碼管組成的數碼管陣列，所述數碼管陣列包括第一子數碼管陣列和第二子數碼管陣列；所述第一子數碼管陣列具有多個驅動端口，所述第一子數碼管陣列的每列中的多個數碼管的正極共接，并與相應的驅動端口連接，所述第一子數碼管陣列的每行中的多個數碼管的負極共接，并與相應的驅動端口連接，并且不同行中的數碼管的負極與相應的驅動端口連接；所述第二子數碼管陣列具有多個拆分端口，所述第二子數碼管陣列的每列中的多個數碼管的正極共接，并與相應的拆分端口連接，所述第二子數碼管陣列的第一行中的多個數碼管的負極均連接所述第一子數碼管陣列的第一個驅動端口，所述第二子數碼管陣列的其他行中的多個數碼管的負極共接，并與相應的拆分端口連接，并且不同行中的數碼管的負極與相應的拆分端口連接，以使通過向待測數碼管所在的列位置的對應端口輸入反向電壓，并向所述待測數碼管所在的行位置的對應端口輸入正向電壓，根據輸入的正向電壓與反向電壓測量所述待測數碼管的電流；所述多個驅動端口和所述多個拆分端口分別與端口面板的相應插口連通。

2.如權利要求1所述的LED數碼管結構，其特征在于，所述第一子數碼管陣列的多個驅動端口與所述第二子數碼管陣列中的多個拆分端口通過導線一一對應連接。

3.一種基于權利要求1所述的LED數碼管結構的數碼管反向漏電流測量方法，其特征在于，所述數碼管反向漏電流測量方法包括：

確定待測數碼管所處的子數碼管陣列；

獲取所述待測數碼管在所述子數碼管陣列中的行位置和列位置；

向所述待測數碼管所在的列位置的對應端口輸入反向電壓，并向所述待測數碼管所在的行位置的對應端口輸入正向電壓；

根據輸入的正向電壓與反向電壓測量所述待測數碼管的反向漏電流。

4.如權利要求3所述的數碼管反向漏電流測量方法，其特征在于，所述確定待測數碼管所處的子數碼管陣列包括：

獲取所述待測數碼管在所述數碼管陣列中連接的端口類型，根據所述端口類型確定所述待測數碼管所處的子數碼管陣列。

5.如權利要求4所述的數碼管反向漏電流測量方法，其特征在于，若所述待測數碼管所處的子數碼管陣列為第一子數碼管陣列，則所述向所述待測數碼管所在的列位置的對應端口輸入反向電壓，并向所述待測數碼管所在的行位置的對應端口輸入正向電壓包括：

向所述待測數碼管所在的列位置的對應驅動端口輸入反向電壓，并向所述待測數碼管所在的行位置的對應驅動端口輸入正向電壓。

6.如權利要求4所述的數碼管反向漏電流測量方法，其特征在于，若所述待測數碼管所處的子數碼管陣列為第二子數碼管陣列，且所述待測數碼管處于所述第二子數碼管陣列中的第一行，則所述向所述待測數碼管所在的列位置的對應端口輸入反向電壓，并向所述待測數碼管所在的行位置的對應端口輸入正向電壓包括：

向所述待測數碼管所在的列位置的對應拆分端口輸入反向電壓，并向所述待測數碼管所在的行位置的對應驅動端口輸入正向電壓。

7.如權利要求4所述的數碼管反向漏電流測量方法，其特征在于，若所述待測數碼管所處的子數碼管陣列為第二子數碼管陣列，且所述待測數碼管不處于所述第二子數碼管陣列中的第一行，則所述向所述待測數碼管所在的列位置的對應端口輸入反向電壓，并向所述待測數碼管所在的行位置的對應端口輸入正向電壓包括：

向所述待測數碼管所在的列位置的對應拆分端口輸入反向電壓，并向所述待測數碼管所在的行位置的對應拆分端口輸入正向電壓。

8.一種基于權利要求1所述的LED數碼管結構的數碼管反向漏電流測量裝置，其特征在于，所述數碼管反向漏電流測量裝置包括：

確定模塊，用于確定待測數碼管所處的子數碼管陣列；

獲取模塊，用于獲取所述待測數碼管在所述子數碼管陣列中的行位置和列位置；

輸入模塊，用于向所述待測數碼管所在的列位置的對應端口輸入反向電壓，并向所述待測數碼管所在的行位置的對應端口輸入正向電壓；

測量模塊，用于根據輸入的正向電壓與反向電壓測量所述待測數碼管的反向漏電流。