[發明專利]電子設備、LED數碼管結構及其反向漏電流測量方法與裝置

有效

• 申請號: 201811383323.8
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN111276080B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 薛升;周博;黃濤;李奇峰;楊云
• 申請（專利權）人: 比亞迪半導體股份有限公司
• 主分類號: G09G3/14
• 分類號: G09G3/14;G09G3/00;G01R31/52
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325
• 代理人: 譚果林

本發明提出了一種電子設備、LED數碼管結構及其反向漏電流測量方法與裝置，該LED數碼管反向漏電流測量方法通過將數碼管陣列拆分成兩個子數碼管陣列，并在每個子數碼管陣列測量LED數碼管的反向漏電流時，通過向對應的端口輸入正向電壓和負向電壓即可，以此確保在測量任意一個LED數碼管的反向漏電流時，沒有任何正向導通的LED數碼管電流的影響，極大提高了LED數碼管反向漏電流的測量精度和準確度。

技術領域

本發明涉及家電及LED技術領域，尤其涉及一種電子設備、LED數碼管結構及其反向漏電流測量方法與裝置。

背景技術

近幾年來，發光二極管(Light Emitting Diode，LED)因其節能顯著、綠色環保、耐沖擊、抗雷力強以及壽命長等優點被廣泛應用于各種領域，例如LED燈。目前，雖然市場上存在的LED數碼管結構主要分為行列矩陣形式和串行點陣形式，但是由于同樣的LED燈數量需求的應用條件下，行列矩陣形式LED數碼管所占用芯片輸入輸出IO資源較多，因此在集成度高的應用中一般采用串行點陣形式LED數碼管。

然而，串行點陣形式LED數碼管在每次導通測量時，由于結構原因，總有一個LED數碼管為正向導通的狀態。由于正向導通的數碼管其電流級別一般為毫安級電流，而需要測量的數碼管反向漏電流一般為微安級別，因此正向導通電流將嚴重影響反向漏電電流的測量精度，使得LED數碼管的反向漏電流測量結果不準確，從而影響產品品質。

綜上所述，現有的LED數碼管在測量反向漏電流時存在測量準確度低的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種電子設備、LED數碼管結構及其反向漏電流測量方法與裝置，以解決現有的LED數碼管在測量反向漏電流時存在測量準確度低的問題。

本發明是這樣實現的，本發明第一方面提供一種LED數碼管結構，所述LED數碼管結構包括：所述LED數碼管結構包括多個數碼管組成的數碼管陣列，所述數碼管陣列包括第一子數碼管陣列和第二子數碼管陣列；所述第一子數碼管陣列具有多個驅動端口，所述第一子數碼管陣列的每列中的多個數碼管的正極共接，并與相應的驅動端口連接，所述第一子數碼管陣列的每行中的多個數碼管的負極共接，并與相應的驅動端口連接，并且不同行中的數碼管的負極與相應的驅動端口連接；所述第二子數碼管陣列具有多個拆分端口，所述第二子數碼管陣列的每列中的多個數碼管的正極共接，并與相應的拆分端口連接，所述第二子數碼管陣列的第一行中的多個數碼管的負極均連接所述第一子數碼管陣列的第一個驅動端口，所述第二子數碼管陣列的其他行中的多個數碼管的負極共接，并與相應的拆分端口連接，并且不同行中的數碼管的負極與相應的拆分端口連接。

本發明第二方面提供一種基于上述LED數碼管結構的數碼管反向漏電流測量方法，所述所述數碼管反向漏電流測量方法包括：

確定待測數碼管所處的子數碼管陣列；

獲取所述待測數碼管在所述子數碼管陣列中的行位置和列位置；

向所述待測數碼管所在的列位置的對應端口輸入反向電壓，并向所述待測數碼管所在的行位置的對應端口輸入正向電壓；

根據輸入的正向電壓與反向電壓測量所述待測數碼管的反向漏電流。

本發明第三方面提供一種基于上述LED數碼管結構的數碼管反向漏電流測量裝置，所述所述數碼管反向漏電流測量裝置包括：

確定模塊，用于確定待測數碼管所處的子數碼管陣列；

獲取模塊，用于獲取所述待測數碼管在所述子數碼管陣列中的行位置和列位置；

輸入模塊，用于向所述待測數碼管所在的列位置的對應端口輸入反向電壓，并向所述待測數碼管所在的行位置的對應端口輸入正向電壓；

測量模塊，用于根據輸入的正向電壓與反向電壓測量所述待測數碼管的反向漏電流。