[發明專利]光刻曝光工藝的方法

有效

• 申請號: 201811381911.8
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN109814341B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發明（設計）人: 吳尚穎;簡上杰;劉柏村;陳立銳;鄭博中
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

一種光刻曝光工藝的方法。此方法包括以激光光束激化目標液滴，以產生極紫外線(EUV)光。此方法還包括以聚光器反射極紫外線光。此方法亦包括經由安置在聚光器旁的氣體分配器排放清潔氣體至聚光器上。在清潔氣體離開氣體分配器之前，一部分的清潔氣體被轉化為自由基，且自由基與清潔氣體一起被排放至聚光器上。

技術領域

本公開實施例涉及一個光刻曝光工藝的方法及輻射源，且特別涉及一個可降低污染的光刻曝光工藝的方法及輻射源。

背景技術

半導體集成電路(integrated?circuit，IC)工業已經歷指數性的成長。在集成電路材料及設計中的技術的進步已產生數代的集成電路，每個世代的集成電路都比先前世代的集成電路更小及更復雜。在集成電路演進的期間，功能密度(functional?density)(亦即單位芯片面積上的互連裝置的數量)已廣泛地增加，然而幾何尺寸(亦即可被工藝創造的最小的元件(或線路))已經縮小?？s小的工藝通常提供增加生產效率及降低相關成本的效益。如此的縮小亦已增加工藝及制造集成電路的復雜性。

舉例來說，施行更高分辨率光刻工藝的需求正在增長。一種光刻技術為極紫外線光刻(extreme?ultraviolet?lithography，EUVL)。極紫外線光刻運用掃描器，此掃描器使用極紫外線區域的光，具有約1納米至約100納米的波長。一些極紫外線掃描器提供相似于一些光學掃描器的投影曬像(projection?printing)，只是極紫外線掃描器使用反射型光學元件而非折射型光學元件，亦即面鏡代替鏡片。

一種極紫外線光源的類型為激光生成等離子體(laser?produced?plasma，LPP)。激光生成等離子體技術產生極紫外線光是通過聚焦高功率激光光束至小型燃料液滴目標，以形成高度離子化等離子體，此等離子體放射具有最大放射峰值為13.5納米的極紫外線光。極紫外線光隨后被聚光器收集且被光學元件反射朝向光刻曝光物件，例如晶圓。

雖然既存的產生極紫外線光的方法及裝置已滿足其用途，從各方面看來此方法及裝置尚未完全令人滿意的。因此，提供增加從離子化的輸入能源來的功率轉化效率是令人期待的。

發明內容

本公開的實施例提供光刻曝光工藝的方法。此方法包括以激光光束照射目標液滴，以產生極紫外線(extreme?ultraviolet，EUV)光。此方法還包括以聚光器反射極紫外線光。此方法亦包括經由安置在聚光器旁的氣體分配器排放清潔氣體至聚光器上。在清潔氣體離開氣體分配器之前，一部分的清潔氣體被轉化為自由基，且自由基與清潔氣體一起被排放至聚光器上。

本公開另一實施例提供光刻曝光工藝的方法。此方法包括以激光光束激化目標液滴，以產生極紫外線光。此方法還包括以聚光器反射極紫外線光。此方法亦包括以被聚光器反射的極紫外線光在晶圓上施行光刻曝光工藝。再者，此方法包括重復排放清潔氣體至聚光器上。在清潔氣體的兩次供應之間有一預定時間，且在此預定時間時，清潔氣體的供應是暫停的。

本公開又一實施例提供產生光刻曝光工藝的光的輻射源。輻射源包括目標液滴產生器，配置以產生目標液滴。輻射源還包括預熱激光源、主激光源及聚光器。預熱激光源配置以擊打液滴并形成前驅物標靶。再者，主激光源配置以產生具有高功率的激光光束，以更有效率地轉化前驅物標靶，以產生極紫外線光。聚光器配置以收集及反射極紫外線光。輻射源亦包括氣流路徑，配置以排放清潔氣體至聚光器。再者，輻射源包括能量轉化器及控制器。能量轉化器例如射頻產生器或熱加熱器(thermal?heater)配置以連接至氣流路徑?？刂破髋渲靡钥刂茝哪芰哭D化器施加至在氣流路徑中的清潔氣體中的能量，以轉化在氣流路徑中的一部分的清潔氣體為自由基。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合說明書附圖做完整公開。應注意的是，根據本產業的一般作業，圖示并未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明。

圖1示出根據一些實施例建造的光刻系統的示意圖。