[發明專利]光刻曝光工藝的方法

有效

• 申請號: 201811381911.8
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN109814341B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發明（設計）人: 吳尚穎;簡上杰;劉柏村;陳立銳;鄭博中
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種光刻曝光工藝的方法，包括：

以一激光光束照射一目標液滴，以產生一極紫外線光；

以一聚光器反射該極紫外線光；

通過位于該聚光器旁邊的一氣體分配器，排放一清潔氣體至該聚光器上，其中該氣體分配器包括位在該聚光器的兩外側的兩個導流構件，且在該等導流構件中的流速不同，在該清潔氣體離開該氣體分配器前，一部分的該清潔氣體轉化為多個自由基，且該自由基與該清潔氣體被排放至該聚光器上；

在排放該清潔氣體之前，施加一電磁輻射能至位于該氣體分配器中的該清潔氣體，以轉化該部分的該清潔氣體為該自由基；以及

在施加該電磁輻射能之前，施加一熱能進入該清潔氣體，以加熱該清潔氣體，其中該熱能和該電磁輻射能被依序地施加至該清潔氣體。

2.如權利要求1所述的光刻曝光工藝的方法，其中該自由基及該清潔氣體被供應至該聚光器的一中央區域，該激光光束經由該聚光器的該中央區域通過該聚光器，以照射該目標液滴。

3.如權利要求1所述的光刻曝光工藝的方法，其中該自由基及該清潔氣體被供應至該聚光器的一外圍區域，且該外圍區域與該聚光器的一圓周相鄰。

4.如權利要求1所述的光刻曝光工藝的方法，還包括：

根據該聚光器的一估計的污染狀態判定該聚光器的至少一受污染區域；

其中該自由基及該清潔氣體被供應至該受污染區域。

5.如權利要求1所述的光刻曝光工藝的方法，還包括：

以該自由基還原該聚光器上的累積的一污染物為一氣態產物；

經由一排氣線路排出該氣態產物；以及

加熱該排氣線路至高于該污染物的一熔點的一預定溫度。

6.如權利要求1所述的光刻曝光工藝的方法，其中該清潔氣體包括氫氣，且該清潔氣體的該自由基配置以還原一污染物，該污染物包括累積在該聚光器上的錫。

7.如權利要求1所述的光刻曝光工藝的方法，還包括：

重復供應該自由基及該清潔氣體至該聚光器上，其中在該自由基及該清潔氣體的兩次供應之間設定一預定時間，且于該預定時間內暫停供應該自由基及該清潔氣體。

8.如權利要求1所述的光刻曝光工藝的方法，其中該等導流構件的每一者包括一末端部分，該末端部分具有與一光學軸以低于90度的一角度而相交的兩個內壁，且該末端部分的該等內壁的一者延伸朝向該聚光器，且該末端部分的該等內壁另一者沿垂直于一光學軸的一方向而延伸，使得該等導流構件所排放的該清潔氣體形成一氣盾。

9.一種光刻曝光工藝的方法，包括：

以一激光光束照射一目標液滴，以產生一極紫外線光；

以一聚光器反射該極紫外線光；

以被該聚光器反射的該極紫外線光在一晶圓上施行一光刻曝光工藝；

在該光刻曝光工藝時，通過位在該聚光器的兩外側的兩個導流構件而重復排放一清潔氣體至該聚光器上，其中在該清潔氣體的兩次供應之間設定一預定時間，且于該預定時間內暫停供應該清潔氣體，使得供應至該聚光器上的該清潔氣體具有脈沖的性質；

施加一能量至該清潔氣體，以在該清潔氣體被供應至該聚光器前，產生多個自由基，其中該能量包括一電磁輻射能；以及

在施加該電磁輻射能至該清潔氣體之前，施加一熱能進入該清潔氣體，以加熱該清潔氣體，其中該熱能和該電磁輻射能被依序地施加至該清潔氣體，

其中在該等導流構件中的流速不同。

10.如權利要求9所述的光刻曝光工藝的方法，其中該清潔氣體被供應至該聚光器的一中央區域，且該激光光束經由該聚光器的該中央區域通過該聚光器，以照射該目標液滴。

11.如權利要求9所述的光刻曝光工藝的方法，其中該清潔氣體被供應至該聚光器的一外圍區域，且該外圍區域與該聚光器的一圓周相鄰。