[發明專利]制造半導體器件的方法和半導體器件

有效

• 申請號: 201811381333.8
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN110416158B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 布蘭丁·迪里耶;戈本·多恩伯斯;馬庫斯·約翰內斯·亨里克斯·凡·達爾;馬丁·克里斯多夫·霍蘭德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在層間介電層中形成開口，從而使得源極/漏極區域暴露在所述開口中；

形成第一半導體層以完全覆蓋所述開口內的暴露的源極/漏極區域，所述第一半導體層的側壁與所述層間介電層的所述開口處的內側壁直接接觸；

實施加熱工藝以使所述第一半導體層的上表面變平；以及

在所述第一半導體層上方形成導電接觸層，并且整個所述導電接觸層位于所述第一半導體層上方，

其中，所述第一半導體層的所述上表面與所述導電接觸層接觸，并且不形成所述第一半導體層的側面均由導電接觸層覆蓋的環繞式接觸結構。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括，在實施所述加熱工藝之后并且在形成所述導電接觸層之前，在所述第一半導體層上方和所述層間介電層的上表面上方形成第二半導體層，

其中，形成所述第一半導體層之后到開始實施所述加熱工藝時的期間，所述第一半導體層的上表面形狀保持不變。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一半導體層是Ge或Si_1-xGe_x，其中，0.3x1。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第一半導體層摻雜有磷。

5.根據權利要求3所述的方法，其中：

在從350℃至410℃的襯底溫度下外延形成所述第一半導體層，以及

在從410℃至470℃的襯底溫度下實施所述加熱工藝。

6.根據權利要求2所述的方法，其中：

所述第二半導體層是Si或Si_1-yGe_y，其中，0y0.3，以及

在從410℃至470℃的襯底溫度下形成所述第二半導體層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第二半導體層是非晶或多晶的。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第二半導體層摻雜有磷。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述第一半導體層的底部或側部處沒有形成空隙。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一半導體層的側面和所述導電接觸層的側面與所述開口的內壁接觸。

11.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在層間介電層中形成開口，從而使得鰭結構的源極/漏極區域暴露在所述開口中，所述鰭結構的源極/漏極區域從隔離絕緣層突出；

通過外延生長形成第一半導體層以完全覆蓋所述開口內的暴露的源極/漏極區域，所述第一半導體層的側壁與所述層間介電層的所述開口處的內側壁直接接觸；

實施加熱工藝以回流所述第一半導體層；

在所述第一半導體層上方形成第二半導體層；以及

在所述第二半導體層上形成導電接觸層，并且整個所述導電接觸層位于所述第二半導體層上方，

其中，所述第一半導體層的頂面經由所述第二半導體層與所述導電接觸層接觸，并且不形成所述第一半導體層的側面均由導電接觸層覆蓋的環繞式接觸結構。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，在實施所述加熱工藝之后，所述開口中的所述第一半導體層的厚度變化小于或等于5nm。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，在實施所述加熱工藝之后，所述開口中的所述第一半導體層的厚度變化大于或等于0.2nm。

14.根據權利要求11所述的方法，還包括，在形成所述第二半導體層之后并且在形成所述導電接觸層之前，退火所述第一半導體層和所述第二半導體層。