[發明專利]利用具有補償的光信號來執行掩模圖案測量的系統和方法

在審

• 申請號: 201811376093.2
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN110109322A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 羅志勛;李東根;金熙范
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/84
• 分類號: G03F1/84
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉潤蓓;尹淑梅

提供了一種利用具有補償的光信號來執行掩模圖案測量的系統和方法，所述系統包括：板，構造為用于在其上安裝反射極紫外(EUV)掩模；以及波帶片，構造為將EUV光分為零級光和第一級光，并構造為使零級光和第一級光傳輸到反射EUV掩模。系統還包括：檢測器，構造為接收由反射EUV掩模反射的EUV光，并包括構造為產生第一圖像信號的零級光檢測區域和構造為產生第二圖像信號的第一級光檢測區域；以及計算器，構造為從第一圖像信號和第二圖像信號產生補償的第三圖像信號。第三圖像信號可以用于確定反射EUV掩模的掩模圖案之間的距離。

本申請要求于2018年2月1日在韓國知識產權局(KIPO)提交的第10-2018-0012802號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的內容通過引用全部包含于此。

技術領域

本發明構思涉及半導體裝置處理設備及方法，更具體地，涉及用于掩模檢查的成像設備及方法以及使用成像設備及方法制造的半導體裝置。

背景技術

近來，半導體裝置已經小型化并且已經在性能上得到改善。結果，半導體裝置中包括的布線之間的間隔變得越來越窄。隨著半導體裝置中包括的布線之間的間隔變得較窄，用于使半導體基底上的布線圖案化的掩模的檢查的重要性增加了。

為了檢查其上繪制有掩模圖案的掩模，期望具有短波長的光源。極紫外(EUV)光可以用作具有短波長的光源。

如果在包括關于掩模圖案的圖像的信息的圖像信號中發生波動，則掩模圖案之間的間隔的測量會變得不準確。

發明內容

本發明構思的實施例提供能夠提高反射EUV掩模的圖像的準確度的成像系統以及使用這樣的系統的成像方法。

根據本發明構思的一些實施例，系統包括：板，構造為用于在其上安裝反射極紫外(EUV)掩模；以及波帶片，構造為將EUV光分為零級光和第一級光，并構造為使零級光和第一級光傳輸到反射EUV掩模。系統還包括：檢測器，構造為接收由反射EUV掩模反射的EUV光，并包括構造為產生第一圖像信號的零級光檢測區域和構造為產生第二圖像信號的第一級光檢測區域；以及計算器，構造為從第一圖像信號和第二圖像信號產生補償的第三圖像信號。

另外的實施例提供一種系統，所述系統包括：板，構造為用于在其上安裝反射EUV掩模；以及波帶片，構造為將EUV光分為零級光和第一級光，并且構造為使零級光和第一級光傳輸到反射EUV掩模。系統還包括檢測器，構造為分別檢測由反射EUV掩模反射的零級EUV光和由反射EUV掩模反射的第一級EUV光。

根據一些方法實施例，檢測從包括彼此分隔開的第一掩模圖案和第二掩模圖案的反射EUV掩模反射的EUV光。產生與由反射EUV掩模反射的零級光和第一級光對應的各個第一圖像信號和第二圖像信號。從第一圖像信號和第二圖像信號產生第三圖像信號。使用第三圖像信號確定第一掩模圖案和第二掩模圖案之間的距離。使用反射EUV掩模在基底上形成圖案。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述本發明構思的示例性實施例，本發明構思的以上和其他方面和特征將變得更加清楚，在附圖中：

圖1是示出根據本發明構思的一些實施例的成像裝置以及包括成像裝置的成像系統的框圖；

圖2是用于解釋根據本發明構思的一些實施例的成像裝置以及包括成像裝置的成像系統的圖；

圖3是圖2的區域K的放大圖；

圖4是用于解釋圖2的檢測器的圖；

圖5是用于解釋根據本發明構思的一些實施例的成像裝置以及包括成像裝置的成像系統的計算器的曲線圖；

圖6是用于解釋圖2的確定器的圖；

圖7是用于解釋圖2的檢測器的圖；