[發(fā)明專(zhuān)利]交叉點(diǎn)陣列器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811375062.5 | 申請(qǐng)日： | 2018-11-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110176471B | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-10-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 河泰政 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H10B63/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H10B63/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;許偉群 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 交叉點(diǎn) 陣列 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種交叉點(diǎn)陣列器件，包括：
襯底；
第一導(dǎo)電線，其設(shè)置在所述襯底之上并在第一方向上延伸；
多個(gè)柱結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)電線上，所述柱結(jié)構(gòu)中的每個(gè)柱結(jié)構(gòu)包括存儲(chǔ)電極層；
電阻式存儲(chǔ)層，其沿所述柱結(jié)構(gòu)的表面設(shè)置，所述電阻式存儲(chǔ)層覆蓋所述柱結(jié)構(gòu)中的每個(gè)柱結(jié)構(gòu)的側(cè)表面的至少一部分；
閾值切換層，其設(shè)置在所述電阻式存儲(chǔ)層上；以及
第二導(dǎo)電線，其與所述閾值切換層電連接并在與所述第一方向不平行的第二方向上延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述柱結(jié)構(gòu)中的每個(gè)柱結(jié)構(gòu)還包括硬掩模層，所述硬掩模層在與所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上設(shè)置在所述存儲(chǔ)電極層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述閾值切換層填充所述柱結(jié)構(gòu)之間的空間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述閾值切換層包括在所述第二方向上延伸的溝槽，所述第二導(dǎo)電線設(shè)置在所述溝槽內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述第二導(dǎo)電線與所述柱結(jié)構(gòu)的側(cè)表面接觸，所述第二導(dǎo)電線與所述存儲(chǔ)電極層電絕緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述存儲(chǔ)電極層包括選自由鉭(Ta)、鉿(Hf)和鈦(Ti)組成的組中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述電阻式存儲(chǔ)層設(shè)置在所述存儲(chǔ)電極層與所述閾值切換層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述第二導(dǎo)電線在所述第一方向上的寬度與所述柱結(jié)構(gòu)在所述第一方向上的直徑基本上相等，并且所述第二導(dǎo)電線之間的間隔與在所述第一方向上的兩個(gè)相鄰柱結(jié)構(gòu)之間的間隔基本上相等。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述第二導(dǎo)電線被設(shè)置為在所述第一方向上從所述柱結(jié)構(gòu)的邊緣偏移小于或等于所述第二導(dǎo)電線的節(jié)距的1/4。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述電阻式存儲(chǔ)層包括選自由鈦氧化物、鋁氧化物、鎳氧化物、銅氧化物、鋯氧化物、錳氧化物、鉿氧化物、鎢氧化物、鉭氧化物、鈮氧化物和鐵氧化物組成的組中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述電阻式存儲(chǔ)層包括導(dǎo)電絲，所述導(dǎo)電絲被配置為將所述存儲(chǔ)電極層與所述閾值切換層連接，所述導(dǎo)電絲包含氧空位。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述閾值切換層包括金屬氧化物、金屬氮化物和基于硫族化物的材料中的至少一種。
13.一種交叉點(diǎn)陣列器件，包括：
襯底；
第一導(dǎo)電線，其設(shè)置在所述襯底之上；
多個(gè)柱結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)電線上，所述柱結(jié)構(gòu)中的每個(gè)柱結(jié)構(gòu)包括存儲(chǔ)電極層；
電阻式存儲(chǔ)層，其設(shè)置在所述柱結(jié)構(gòu)的外表面上；
閾值切換層，其覆蓋所述電阻式存儲(chǔ)層；以及
第二導(dǎo)電線，其設(shè)置在所述閾值切換層中的溝槽中并與所述柱結(jié)構(gòu)接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述柱結(jié)構(gòu)中的每個(gè)柱結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述存儲(chǔ)電極層上的硬掩模層。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述閾值切換層填充所述柱結(jié)構(gòu)之間的空間。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的交叉點(diǎn)陣列器件，其中，所述電阻式存儲(chǔ)層在與所述襯底的頂表面平行的方向上設(shè)置在所述存儲(chǔ)電極層與所述閾值切換層之間。
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