[發明專利]一種藍寶石單面拋光片厚度不良返工流程與方法

在審

• 申請號: 201811374340.5
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN109352502A
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 徐良;占俊杰;陽明益;藍文安;劉建哲;陳吉超;余雅俊
• 申請（專利權）人: 浙江博藍特半導體科技股份有限公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B24B1/00
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 胡杰平

本發明專利公布了一種藍寶石單面拋光片厚度不良的返工流程與方法，其特征在于通過現有設備對藍寶石晶片單面進行拋光；首先對拋光后的藍寶石晶片表面進行圖形測繪；然后通過測量分析得出藍寶石晶片表面厚度單位區域差異(TTV、LTV、TIR、坑點)；根據對藍寶石晶片表面厚度單位區域(TTV、LTV、TIR、坑點)數值的分析，結合降低成品晶片報廢率及提升晶片返工最大利用率原則對拋光晶片載盤、拋光墊、機臺盤面、拋光液進行改良；最后用調整后的拋光方法對藍寶石單拋片進行返拋。測量拋光后藍寶石返拋片的整體厚度單位區域差異(TTV、LTV、TIR、坑點)，直到達到晶片厚度平整度要求。

技術領域

本發明涉及一種藍寶石單面拋光片厚度不良返工流程與方法，尤其是涉及一種藍寶石單面拋光片表面后去厚度差異大的不良返工流程與方法

背景技術

隨著太陽能產業鏈的材料碳化硅的蓬勃發展，藍寶石LED照明產業憑借其在節能降耗領域的性能優勢，迎來黃金發展期，市場規模正在急劇擴大。

隨著技術的進步，從2015年開始，國內外市場主流制作高亮藍光LED的襯底均選用4英寸藍寶石平片或圖形化藍寶石襯底(PSS)。為了提高圖形化產品一致性和整體合格率,目前正向較大尺寸的4英寸藍寶石襯底片方向發展,襯底片加工是LED全產業鏈中一個非常重要的環節,也是外延客戶的重要原材料,占外延成本達30％以上,因此,藍寶石襯底的成本至關重要,而目前各廠家的襯底良率已經來到>90％的關頭,如何救回已經產生的藍寶石單拋厚度不良片,是各廠家節省成本的重要研究項目,透過提高整體的良率與產出來符合客戶的價格需求

傳統的表面厚度不良解決方法通常以以研磨砂漿整批作業方式，難以確保晶片背面粗糙度的均勻性要求，以及拋光面的保護，良率難以提高，因此，本專利提出一種藍寶石單面拋光片厚度不良返工流程與方法，可在達成背面粗糙度的均勻性要求外，也確保了拋光面的保護，同時可批量連續式進行作業，大大提升現有作業的效率以及晶片表面厚度不良的返修良率。

發明內容

針對現有藍寶石單拋片表面厚度不良的問題，本發明提供了一種藍寶石單面拋光片厚度不良返工流程與方法，此發明主要用在單拋機上，根據對藍寶石晶片表面厚度不良的圖形分析，按照晶片表面內外厚程度，先固定大盤恒溫溫度，然后對現有使用機臺的整個盤面盤型進行修整，將盤型按晶片厚度表面內外圈不良幾種區域(TTV、LTV、TIR、坑點)進行計算修整，然后將不良返拋晶片固定在晶片載盤上，晶片不良位置統一方向固定(按照同等厚度不良因素)，使得晶片在加工過程中，保證晶片表面厚度較差區域有較高的去除速率同時，也保證晶片厚度表面質量的穩定性，解決了現有技術中存在的不足。

進一步的，所述的晶片載盤吸附晶片方式可以是真空吸附，貼蠟吸附，浸水吸附(吸附必須在載盤和晶片潔凈程度下進行)。

進一步的，所述的拋頭溫度，需根據盤面加工溫度做對應調整。

進一步的，所述的拋光加工溫度，采用中溫、中壓的加工方式。

進一步的，對晶片厚度表面產生不良位置處進行測繪。

進一步的，所述拋光盤面與藍寶石晶片不完全接觸。

進一步的，所述的頭、尾片加工，可應用于2、4、6、8、12寸及更大尺寸的圓片或方片。

進一步的，所述的藍寶石頭、尾片，可以更改成碳化硅、氮化鎵頭、尾片襯底。

附圖說明

圖1：單面拋光片厚度不良返工示意圖

具體實施方案

下面結合附圖對本發明實施舉例進行說明: