[發明專利]一種藍寶石單面拋光片厚度不良返工流程與方法

在審

• 申請號: 201811374340.5
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN109352502A
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 徐良;占俊杰;陽明益;藍文安;劉建哲;陳吉超;余雅俊
• 申請（專利權）人: 浙江博藍特半導體科技股份有限公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B24B1/00
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 胡杰平

1.一種藍寶石單面拋光片厚度不良返工流程與方法，其特征在于該流程與方法的控制步驟為：

步驟一，首先對拋光后的厚度不良單拋晶片表面進行圖形測繪。

步驟二，通過測繪分析得出藍寶石晶片表面厚度(TTV、LTV、TIR、坑點)不符合要求的區域。

步驟三，根據對藍寶石晶片表面厚度(TTV、LTV、TIR、坑點)數值的分析結合降低成品晶片報廢率及提升晶片返工最大利用率原則對拋光機臺晶片載盤、拋光墊、機臺盤面、拋光液進行改良。

步驟四，用調整后的拋光方法對藍寶石單拋片進行返拋，測量拋光后藍寶石晶片表面的厚度單位區域差異(TTV、LTV、TIR、坑點)。

2.根據權利要求1所述的晶片表面進行圖形測繪，其采用的檢測設備可以是FRT、FT-17、AOI,掃描的方式可以單點、多點、單線、多線、2D、3D。

3.根據權利要求1所述的晶片載盤可以是陶瓷盤、樹脂盤、碳化硼盤、碳化硅盤、鐵盤等。

4.根據權利要求1所述的拋光墊材質可以是無紡布、尼龍布、絨布、聚氨酯、橡膠、高分子復合型等。

5.根據權利要求1所述的機臺盤面材質可以是鑄鐵研磨盤、樹脂銅研磨盤、純銅研磨盤、金剛石研磨盤。

6.根據權利要求1所述的機臺盤面面型可以是凹面、凸面、環形凹凸面。

7.根據權利要求1所述的機臺拋光液可以是碳化硅,碳化硼,氧化硅，氧化鋁等，使用砂粒號數介于#50～#800之間。

8.據權利要求1所述的藍寶石單面拋光片，包括但不限于2～12寸襯底片，外型可為圓、方片等不同外型的襯底片。

9.據權利要求1所述的藍寶石藍寶石單面拋光片，可包括但不限于碳化硅、氮化鎵單晶襯底片及單晶上生長外延層后的襯底片。