[發明專利]EUV產生裝置

在審

• 申請號: 201811373497.6
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN110113855A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 李炫周;姜京植;林智賢
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H05G2/00
• 分類號: H05G2/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

提供了一種極紫外(EUV)產生裝置。該EUV產生裝置包括：氣體單元殼體，在第一方向上延伸；導光通道，在第一方向上延伸穿過氣體單元殼體；以及氣體供應通道，供應等離子體反應氣體。導光通道包括：入射部分，接收入射光；等離子體反應部分，在第一方向上從入射部分延伸，以由于入射光與等離子體反應氣體之間的相互作用而產生EUV光；以及發射部分，在第一方向上從等離子體反應部分延伸，以在第一方向上發射EUV光。氣體供應通道可以在氣體單元殼體的側面處連接到等離子體反應部分，并且可以相對于第一方向以銳角傾斜。

于2018年2月1日在韓國知識產權局提交且名稱為“EUV產生裝置(EUV GeneratingDevice)”的第10-2018-0012809號韓國專利申請通過引用全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光產生裝置。

背景技術

干涉儀是在來自單個光源的光被分為行經不同光路的兩束光并且再次結合以產生干涉時觀察干涉條紋的裝置。干涉儀用于精確測量和比較波長、光路長度、折射率變化、距離和/或表面不規則性。

在利用光的精確測量中，具有比可見光短的波長的極紫外(EUV)光可根據衍射極限來改善分辨率，所述衍射極限與被觀察到的光的波長成比例。具體地，如果可產生具有優異相干性(例如，空間相干性和時間相干性)的光，則利用光的干涉現象和衍射現象的各種應用是可能的。

與其它EUV光源相比，高次諧波波型EUV光源具有優異的相干性，并且可以用作EUV干涉儀或EUV掃描顯微鏡的光源。高次諧波產生(High harmonic generation(HHG))將高的時變電場(high time-varying electric field)施加到惰性氣體(例如，氬(Ar)、氖(Ne)或氙(Xe))，使得電子電離并復合以產生EUV光。

發明內容

根據本公開的示例性實施例，提供了一種極紫外(EUV)產生裝置，該EUV產生裝置包括：氣體單元殼體，在第一方向上延伸；導光通道，在第一方向上延伸穿過氣體單元殼體；以及氣體供應通道，在氣體單元殼體的側面處相對于第一方向以銳角連接到等離子體反應部分，氣體供應通道將等離子體反應氣體供應到等離子體反應部分，其中，導光通道包括接收入射光的入射部分、在第一方向上從入射部分延伸以在入射光與等離子體反應氣體相互作用時產生EUV光的等離子體反應部分以及在第一方向上從等離子體反應部分延伸以在第一方向上發射EUV光的發射部分。

根據本公開的上述和其它示例性實施例，提供了一種EUV產生裝置，該EUV產生裝置包括：光源，發射紅外(IR)激光脈沖；以及氣體單元，接收IR激光脈沖和等離子體反應氣體，并產生EUV光。氣體單元包括：導光通道，IR激光脈沖穿過導光通道；以及氣體供應通道，相對于導光通道以第一銳角連接到導光通道，氣體供應通道供應等離子體反應氣體。

根據本公開的上述和其它示例性實施例，提供了一種EUV產生裝置，該EUV產生裝置包括：氣體單元殼體，包括在第一方向上延伸的導光通道，入射光在第一方向上入射以沿第一方向穿過導光通道；以及氣體供應模塊，從氣體單元殼體的側面延伸，氣體供應模塊將等離子體反應氣體注入到導光通道中，使得等離子體反應氣體在與第一方向相反的第二方向上流動，其中，氣體供應模塊包括與導光通道形成第一銳角的氣體供應通道。

附圖說明

通過參照附圖詳細地描述示例性實施例，特征對于本領域技術人員來說將變得明顯，在附圖中：

圖1示出了根據本公開的一些示例性實施例的極紫外(EUV)產生裝置的示意圖；

圖2示出了圖1的氣體單元的透視圖；

圖3示出了如從圖2的方向A觀看的圖1的氣體單元的側視圖；

圖4示出了沿圖3的線B-B′截取的剖視圖；