[發(fā)明專利]EUV產(chǎn)生裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811373497.6 | 申請日: | 2018-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN110113855A | 公開(公告)日: | 2019-08-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李炫周;姜京植;林智賢 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H05G2/00 | 分類號: | H05G2/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體反應 產(chǎn)生裝置 氣體單元 殼體 氣體供應通道 導光通道 入射 延伸 延伸穿過 發(fā)射 入射光 銳角 側面 收入 | ||
1.一種極紫外產(chǎn)生裝置,所述極紫外產(chǎn)生裝置包括:
氣體單元殼體,在第一方向上延伸;
導光通道,在第一方向上延伸穿過氣體單元殼體,導光通道包括:入射部分,接收入射光;等離子體反應部分,在第一方向上從入射部分延伸,以在入射光與等離子體反應氣體相互作用時產(chǎn)生極紫外光;以及發(fā)射部分,在第一方向上從等離子體反應部分延伸,以在第一方向上發(fā)射極紫外光;以及
氣體供應通道,在氣體單元殼體的側面處相對于第一方向以銳角連接到等離子體反應部分,氣體供應通道將等離子體反應氣體供應到等離子體反應部分。
2.根據(jù)權利要求1所述的極紫外產(chǎn)生裝置,其中:
氣體單元殼體具有在與第一方向正交的第二方向上的第一側面和在與第二方向相反的第三方向上的第二側面,并且
氣體供應通道包括從第一側面延伸的第一氣體供應通道和從第二側面延伸的第二氣體供應通道。
3.根據(jù)權利要求2所述的極紫外產(chǎn)生裝置,其中:
氣體單元殼體具有在與第一方向和第二方向正交的第四方向上的第三側面以及在與第四方向相反的第五方向上的第四側面,并且
氣體供應通道還包括從第三側面延伸的第三氣體供應通道和從第四側面延伸的第四氣體供應通道。
4.根據(jù)權利要求2所述的極紫外產(chǎn)生裝置,其中:
第一氣體供應通道在與第一方向正交并與第二方向交叉的第六方向上傾斜,并且
第二氣體供應通道在與第六方向相反的第七方向上傾斜。
5.根據(jù)權利要求2所述的極紫外產(chǎn)生裝置,其中:
第一氣體供應通道與導光通道之間的角度是第一銳角,并且
第二氣體供應通道與導光通道之間的角度是第一銳角。
6.根據(jù)權利要求2所述的極紫外產(chǎn)生裝置,其中,氣體供應通道朝向發(fā)射部分傾斜。
7.根據(jù)權利要求1所述的極紫外產(chǎn)生裝置,所述極紫外產(chǎn)生裝置還包括:
真空室,圍繞氣體單元殼體。
8.根據(jù)權利要求7所述的極紫外產(chǎn)生裝置,其中,氣體單元殼體內部的壓強高于氣體單元殼體外部的壓強。
9.根據(jù)權利要求1所述的極紫外產(chǎn)生裝置,其中,等離子體反應氣體通過入射部分從氣體單元殼體的內部排放到氣體單元殼體的外部。
10.根據(jù)權利要求1所述的極紫外產(chǎn)生裝置,其中,入射部分和發(fā)射部分的沿第一方向的截面面積小于等離子體反應部分的沿第一方向的截面面積。
11.一種極紫外產(chǎn)生裝置,所述極紫外產(chǎn)生裝置包括:
光源,輸出紅外激光脈沖;以及
氣體單元,接收紅外激光脈沖和等離子體反應氣體,并產(chǎn)生極紫外光,
其中,氣體單元包括:導光通道,紅外激光脈沖穿過導光通道;以及氣體供應通道,相對于導光通道以第一銳角連接到導光通道,氣體供應通道供應等離子體反應氣體。
12.根據(jù)權利要求11所述的極紫外產(chǎn)生裝置,其中:
紅外激光脈沖在第一方向上行進,并且
等離子體反應氣體在與第一方向相反的方向上從氣體單元排出。
13.根據(jù)權利要求11所述的極紫外產(chǎn)生裝置,其中:
導光通道包括紅外激光脈沖在第一方向上透射的第一區(qū)域和極紫外光在第一方向上透射的第二區(qū)域,
第二區(qū)域在第一方向上與第一區(qū)域鄰接,并且
極紫外光響應于彼此相互作用的紅外激光脈沖和等離子體反應氣體而產(chǎn)生。
14.根據(jù)權利要求13所述的極紫外產(chǎn)生裝置,其中:
等離子體反應氣體具有在第一區(qū)域中的第一密度和在第二區(qū)域中的第二密度,并且
第一密度和第二密度彼此不同。
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