[發明專利]一種晶片及其處理方法

在審

• 申請號: 201811367666.5
• 申請日: 2018-11-16
• 公開（公告）號: CN109473342A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 程紀偉;羅世金;孫中旺;張坤;鮑琨;胡明;夏志良
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22;H01L21/66;H01L29/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙秀芹;王寶筠

本申請提供了一種晶片及其處理方法。在方法可以根據晶片至少兩個不同方向上的第一翹曲度差異，對晶片表面的至少部分區域進行摻雜，從而縮小晶片不同方向上的應力差，使得晶片內部不同區域的應力分布大致均勻，從而使得晶片不同方向的翹曲度差異滿足預設要求。因此，本申請可以通過對晶片表面進行摻雜的方式改善晶片不同區域的應力分布，而且，由于摻雜的具體工藝條件是根據晶片至少兩個方向上的翹曲度差異來確定的，所以，該方法能夠縮小晶片不同方向上的應力差，進而改善不同晶片不同方向上的翹曲度差異，從而使得晶片不同方向的翹曲度差異滿足預設要求，進而使晶片表面變得平整。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種晶片及其處理方法。

背景技術

晶片是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故也稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。

晶片在制造過程中，會在其內部產生應力。該應力的存在會導致晶片存在不同程度的翹曲。該翹曲不利于后續半導體器件的制造。因此，晶圓內部應力是后續半導體器件的制造工藝的一個巨大挑戰。其中，半導體器件制造工藝例如可以為光刻刻蝕、薄膜沉積和鍵合工藝等。

為了減小或消除晶片內部應力，業界提出了一些減小或消除晶片內部應力的晶片處理方法。但是處理后的晶片內部的應力分布不均勻，從而使得晶片不同方向存在不同程度的翹曲。

發明內容

有鑒于此，本申請提供了一種晶片及其處理方法，以降低晶片內部應力，并使晶片內部應力分布均勻，從而使得晶片不同方向的翹曲一致。

為了解決上述技術問題，本申請采用了如下技術方案：

一種晶片處理方法，包括：

采集晶片分別在至少兩個不同方向上的第一翹曲度；

根據所述晶片至少兩個不同方向上的第一翹曲度，獲取所述晶片在所述至少兩個不同方向上的第一翹曲度差異；

當所述第一翹曲度差異不滿足預設要求時，根據所述第一翹曲度差異，對晶片表面的至少部分區域進行第一摻雜，以使摻雜后的晶片不同方向的翹曲度差異滿足預設要求。

可選地，所述至少兩個不同方向至少包括兩個相互垂直的方向。

可選地，所述對晶片表面的至少部分區域進行摻雜，具體包括：

對晶片背面的至少部分區域進行摻雜。

可選地，所述根據第一翹曲度差異，對晶片表面的至少部分區域進行摻雜之后，還包括：

采集處理后的晶片至少兩個不同方向上的第二翹曲度；

根據所述處理后的晶片至少兩個不同方向上的第二翹曲度，獲取所述處理后的晶片至少兩個不同方向上的第二翹曲度差異；

判斷所述第二翹曲度差異是否滿足所述預設要求，如果否，則根據所述第二翹曲度差異，對晶片表面的至少部分區域進行第二摻雜，以使所述晶片不同方向的翹曲度差異滿足所述預設要求。

可選地，所述第一摻雜和所述第二摻雜的晶片表面區域至少部分重合。

可選地，所述第一摻雜和所述第二摻雜的晶片表面區域完全不重合。

可選地，所述晶片表面的至少部分區域至少包括沿著所述至少兩個不同方向中的一個方向的晶片邊緣區域。

一種晶片，所述晶片表面的至少部分區域摻雜有摻雜雜質，所述摻雜雜質能夠使所述晶片不同方向的翹曲度差異滿足預設要求。

可選地，所述晶片表面的至少部分區域包括第一局部區域和第二局部區域，所述第一局部區域和所述第二局部區域至少部分重合。