[發明專利]一種晶片及其處理方法在審
| 申請號： | 201811367666.5 | 申請日： | 2018-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN109473342A | 公開（公告）日： | 2019-03-15 |
| 發明（設計）人： | 程紀偉;羅世金;孫中旺;張坤;鮑琨;胡明;夏志良 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/22 | 分類號： | H01L21/22;H01L21/66;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 趙秀芹;王寶筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市東湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 翹曲度 晶片表面 應力分布 預設要求 摻雜的 應力差 種晶 具體工藝條件 晶片內部 申請 摻雜 平整 | ||
1.一種晶片處理方法，其特征在于，包括：
采集晶片分別在至少兩個不同方向上的第一翹曲度；
根據所述晶片至少兩個不同方向上的第一翹曲度，獲取所述晶片在所述至少兩個不同方向上的第一翹曲度差異；
當所述第一翹曲度差異不滿足預設要求時，根據所述第一翹曲度差異，對晶片表面的至少部分區域進行第一摻雜，以使摻雜后的晶片不同方向的翹曲度差異滿足預設要求。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少兩個不同方向至少包括兩個相互垂直的方向。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述對晶片表面的至少部分區域進行摻雜，具體包括：
對晶片背面的至少部分區域進行摻雜。
4.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述根據第一翹曲度差異，對晶片表面的至少部分區域進行摻雜之后，還包括：
采集處理后的晶片至少兩個不同方向上的第二翹曲度；
根據所述處理后的晶片至少兩個不同方向上的第二翹曲度，獲取所述處理后的晶片至少兩個不同方向上的第二翹曲度差異；
判斷所述第二翹曲度差異是否滿足所述預設要求，如果否，則根據所述第二翹曲度差異，對晶片表面的至少部分區域進行第二摻雜，以使所述晶片不同方向的翹曲度差異滿足所述預設要求。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一摻雜和所述第二摻雜的晶片表面區域至少部分重合。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一摻雜和所述第二摻雜的晶片表面區域完全不重合。
7.根據權利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，所述晶片表面的至少部分區域至少包括沿著所述至少兩個不同方向中的一個方向的晶片邊緣區域。
8.一種晶片，其特征在于，所述晶片表面的至少部分區域摻雜有摻雜雜質，所述摻雜雜質能夠使所述晶片不同方向的翹曲度差異滿足預設要求。
9.根據權利要求8所述的晶片，其特征在于，所述晶片表面的至少部分區域包括第一局部區域和第二局部區域，所述第一局部區域和所述第二局部區域至少部分重合。
10.根據權利要求8所述的晶片，其特征在于，所述晶片表面的至少部分區域包括第一局部區域和第二局部區域，所述第一局部區域和所述第二局部區域完全不重合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
