[發(fā)明專利]金屬網(wǎng)格的制備方法及金屬網(wǎng)格片

有效

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• 申請日: 2018-11-16
• 公開（公告）號: CN111197153B
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發(fā)明（設計）人: 唐根初;張學穎;簡建明
• 申請（專利權）人: 安徽精卓光顯技術有限責任公司
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/14;C23C14/58;C23F1/02
• 代理公司: 廣州德科知識產(chǎn)權代理有限公司 44381
• 代理人: 萬振雄

本發(fā)明涉及一種金屬網(wǎng)格的制備方法，先在基底表面形成網(wǎng)格狀的溝槽，再在基底的表面形成導電金屬膜層。進一步的，對位于所溝槽范圍內(nèi)的區(qū)域進行蝕刻保護。由于對溝槽范圍內(nèi)的區(qū)域進行了蝕刻保護，故在對導電金屬膜層進行蝕刻時，可保留其位于網(wǎng)格狀的溝槽范圍內(nèi)的部分，從而得到金屬網(wǎng)格。可見，金屬網(wǎng)格是通過先在基底表面整體覆設膜層，再通過選擇性蝕刻得到的，而無需進行傳統(tǒng)技術中的銀漿填充。而且，覆膜工藝及蝕刻工藝成熟度及可靠性高。因此，上述金屬網(wǎng)格的制備方法可有效地提升金屬網(wǎng)格的可靠性。此外，上述金屬網(wǎng)格的制備方法還可有效地降低金屬網(wǎng)格的制備成本并提升生產(chǎn)效率。本發(fā)明還提供一種金屬網(wǎng)格片。

技術領域

本發(fā)明涉及光電顯示技術領域，特別涉及一種金屬網(wǎng)格的制備方法及金屬網(wǎng)格片。

背景技術

在觸摸屏等領域，透明導電薄膜得到廣泛的應用。而透明導電膜中的關鍵結構為起導電作用的金屬網(wǎng)格。目前，透明導電膜的金屬網(wǎng)格采用填充工藝成型，包括壓印溝槽、填充導電銀漿、填充黑色油墨及高溫燒結固化等步驟。

為保證填充效果，導電銀漿中的銀粉必須為納米級。因此，導電銀漿需針對透明金屬網(wǎng)格導電膜技術專門開發(fā)，除價格昂貴外還存在穩(wěn)定性差的缺陷。對應的，填充導電銀漿用的刮刀刀刃也需特殊加工處理，導致刮刀的成本升高且品質(zhì)無法保證。因此，通過上述填充工藝得到的金屬網(wǎng)格的良率不高，金屬網(wǎng)格的可靠性也較差。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對現(xiàn)有填充工藝形成的金屬網(wǎng)格可靠性較差的問題，提供一種能提升金屬網(wǎng)格可靠性的金屬網(wǎng)格的制備方法及金屬網(wǎng)格片。

一種金屬網(wǎng)格的制備方法，包括步驟：

在基底的表面形成網(wǎng)格狀的溝槽；

在所述基底的表面形成導電金屬膜層；

對位于所述溝槽范圍內(nèi)的區(qū)域進行蝕刻保護；

采用蝕刻工藝對所述導電金屬膜層進行蝕刻，以消蝕所述導電金屬膜層位于所述溝槽范圍外的部分并得到金屬網(wǎng)格。

上述金屬網(wǎng)格的制備方法，先在基底表面形成了導電金屬膜層，由于對溝槽范圍內(nèi)的區(qū)域進行了蝕刻保護，故在對導電金屬膜層進行蝕刻時可保留其位于網(wǎng)格狀的溝槽范圍內(nèi)的部分，從而得到金屬網(wǎng)格。可見，金屬網(wǎng)格是通過先在基底表面整體覆設膜層，再通過選擇性蝕刻得到的，而無需進行傳統(tǒng)技術中的銀漿填充。而且，覆膜工藝及蝕刻工藝成熟度及可靠性高。因此，上述金屬網(wǎng)格的制備方法可有效地提升金屬網(wǎng)格的可靠性。

此外，由于覆膜及蝕刻工藝成熟度高，故其流程簡單且成本較低。因此，上述金屬網(wǎng)格的制備方法還可有效地降低金屬網(wǎng)格的制備成本并提升生產(chǎn)效率。

在其中一個實施例中，在基底的表面形成網(wǎng)格狀的溝槽，其步驟為：采用壓印的方式在所述基底的表面形成網(wǎng)格狀的溝槽。

壓印技術成熟度高，采用壓印模具即可形成溝槽，無需利用化學試劑或其他設備。因此，有利于提高金屬網(wǎng)格的制備效率。

在其中一個實施例中，所述溝槽的寬度0.5微米至5.0微米。

在其中一個實施例中，在所述基底的表面形成導電金屬膜層，其步驟為：采用濺射或蒸鍍工藝在所述基底的表面鍍覆金屬材料，以形成所述導電金屬膜層。

濺射及蒸鍍是工業(yè)上較為常見的鍍膜方式。因此，在形成導電金屬膜層時具有操作方便、成本較低的優(yōu)勢。

在其中一個實施例中，所述金屬材料為鋁、銅、鉬鋁鉬及鉬銅鉬中任意一種。

導電銀漿存在較高的電遷移風險，在苛刻環(huán)境條件下應用面臨較高的可靠性風險。而上述金屬材料的離子則較為穩(wěn)定，從而有利于規(guī)避電遷移風險，提升金屬網(wǎng)格的可靠性。

在其中一個實施例中，采用蝕刻工藝對所述導電金屬膜層進行蝕刻，其步驟為：采用酸性蝕刻液對所述導電金屬膜層進行化學蝕刻；