[發(fā)明專利]一種靶材、磁控濺射裝置及濺射方法、濺射薄膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811366259.2
• 申請日: 2018-11-16
• 公開（公告）號: CN109161863B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇同上;王東方;王慶賀;閆梁臣
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明提供一種靶材、磁控濺射裝置及濺射方法、濺射薄膜，屬于磁控濺射技術(shù)領(lǐng)域，其可解決現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)靶磁控濺射設(shè)備的濺射得到的薄膜的電阻存在周期性差異致使顯示不均的問題。本發(fā)明的靶材通過改變不同區(qū)域的靶元素含量，使得不同區(qū)域靶材的電阻率不同，這樣當(dāng)該靶材濺射成膜后，較薄薄膜的導(dǎo)電性能與較厚薄膜的導(dǎo)電性能一致，即薄厚不均的薄膜導(dǎo)電性能相同。采用該薄膜作為TFT的源漏極或者有源層，不同區(qū)域的TFT的電流大小相同，所制備的產(chǎn)品顯示均勻。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于磁控濺射技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種靶材、磁控濺射裝置及濺射方法、濺射薄膜。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)靶磁控濺射設(shè)備，如圖1所示，一般包括多個旋轉(zhuǎn)的靶材，每個靶材呈中空的圓柱形，磁控部件設(shè)于該靶材內(nèi)部，利用磁控部件在靶材表面上形成正交電磁場，將電子束縛在靶材表面特定區(qū)域來提高電離效率，增加等離子體的密度和能量，從而實現(xiàn)在基板上高速率濺射成膜。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題：每個靶材正對基板的位置，濺射得到的薄膜厚度較厚，方塊電阻較小(如圖2中的A區(qū)域所示)；而在相鄰靶材之間的位置，濺射得到的薄膜厚度較小，方塊電阻較大(如圖2中的B區(qū)域所示)。這樣得到的薄膜的膜厚和膜質(zhì)都會存在周期性差異，這樣濺射形成的源漏極或者有源層會造成A區(qū)域和B區(qū)域的TFT的電流大小不同，最終會導(dǎo)致顯示的不均勻，形成所謂的Target?Mura。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)靶磁控濺射設(shè)備的濺射得到的薄膜的電阻存在周期性差異致使顯示不均的問題，提供一種靶材、磁控濺射裝置及濺射方法、濺射薄膜。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種靶材，所述靶材包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域用于向基板的正對靶材的位置進行濺射，所述第二區(qū)域用于向基板的斜對靶材的位置進行濺射，所述靶材含有至少兩種靶元素，所述第一區(qū)域與第二區(qū)域中的至少部分靶元素的含量不同，所述第一區(qū)域的靶材的電阻率高于第二區(qū)域的靶材的電阻率。

可選的是，所述靶材由半導(dǎo)體材料構(gòu)成。

可選的是，所述半導(dǎo)體材料包括金屬氧化物。

可選的是，所述靶元素包括鋅元素、氧元素，還包括銦元素、鎵元素中的至少一種。

可選的是，所述靶元素包括鋅元素，氧元素，以及銦元素，所述第二區(qū)域中銦元素的含量大于第一區(qū)域中銦元素的含量。

可選的是，所述靶材為筒狀，所述靶材可繞軸線旋轉(zhuǎn)。

本發(fā)明還提供一種磁控濺射裝置，包括多個靶單元，所述靶單元設(shè)有上述的靶材。

可選的是，所述靶單元包括旋轉(zhuǎn)靶單元。

可選的是，所述旋轉(zhuǎn)靶單元設(shè)于所述靶材內(nèi)，所述旋轉(zhuǎn)靶單元包括：

磁控部件，用于向靶材提供電磁場；

支撐軸，用于支撐所述磁控部件，并帶動磁控部件繞所述軸線在預(yù)定范圍內(nèi)轉(zhuǎn)動。

本發(fā)明還提供一種濺射薄膜，采用上述的靶材濺射形成。

可選的是，所述濺射薄膜正對靶材的位置的厚度大于斜對靶材的位置的厚度，且所述濺射薄膜正對靶材的位置的材料電阻率小于斜對靶材的位置的材料電阻率。

本發(fā)明還提供一種磁控濺射方法，包括以下步驟：采用上述的靶材濺射形成濺射薄膜。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)靶磁控濺射設(shè)備的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)靶磁控濺射設(shè)備的濺射成膜示意圖；

圖3為本發(fā)明的實施例1的靶材的結(jié)構(gòu)示意圖；