[發明專利]一種靶材、磁控濺射裝置及濺射方法、濺射薄膜

有效

• 申請號: 201811366259.2
• 申請日: 2018-11-16
• 公開（公告）號: CN109161863B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 蘇同上;王東方;王慶賀;閆梁臣
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種靶材，其特征在于，所述靶材包括第一區域和第二區域，所述第一區域用于向基板的正對靶材的位置進行濺射，所述第二區域用于向基板的斜對靶材的位置進行濺射，所述靶材含有至少兩種靶元素，所述第一區域與第二區域中的至少部分靶元素的含量不同，所述第一區域的靶材的電阻率高于第二區域的靶材的電阻率；

所述靶材為IGZO旋轉靶；

所述第一區域包括銦元素、鎵元素、鋅元素；

所述第二區域包括銦元素、鎵元素、鋅元素；

所述第二區域中銦元素的含量大于所述第一區域中銦元素的含量。

2.根據權利要求1所述的靶材，其特征在于，所述靶材為筒狀，所述靶材可繞軸線旋轉。

3.一種磁控濺射裝置，其特征在于，包括多個靶單元，所述靶單元設有權利要求1-2任一項所述的靶材。

4.根據權利要求3所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述靶單元包括旋轉靶單元。

5.根據權利要求4所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述靶材為權利要求2所述的靶材，所述旋轉靶單元設于所述靶材內，所述旋轉靶單元包括：

磁控部件，用于向靶材提供電磁場；

支撐軸，用于支撐所述磁控部件，并帶動磁控部件繞所述軸線在預定范圍內轉動。

6.一種濺射薄膜，其特征在于，采用權利要求1-2任一項所述的靶材濺射形成。

7.根據權利要求6所述的濺射薄膜，其特征在于，所述濺射薄膜正對靶材的位置的厚度大于斜對靶材的位置的厚度，且所述濺射薄膜正對靶材的位置的材料電阻率小于斜對靶材的位置的材料電阻率。

8.一種磁控濺射方法，其特征在于，包括以下步驟：采用權利要求1-2任一項所述的靶材濺射形成濺射薄膜。