[發明專利]極紫外掩模制造法、提供監控宏的方法及光學鄰近校正法

在審

• 申請號: 201811363145.2
• 申請日: 2018-11-15
• 公開（公告）號: CN109839798A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 崔云爀;鄭魯永
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

本發明涉及EUV掩模制造方法、提供監控宏的方法及光學鄰近校正方法。在掩模基板上制造用于極紫外(EUV)曝光工藝的EUV掩模的方法包括：考慮由EUV曝光工藝中使用的狹縫造成的影響，構建第一監控宏；使用多個第二監控宏執行光學鄰近校正(OPC)，其中所述多個第二監控宏的每個與第一監控宏基本相同；輸入通過OPC獲取的掩模流片(MTO)設計數據；準備包括數據格式轉換、掩模工藝校正(MPC)和用于MTO設計數據的掩模相關信息命令文本中的至少一個的掩模數據；以及基于掩模數據對掩模基板執行EUV曝光(寫入)。

技術領域

實施方式涉及用于光刻的極紫外(EUV)掩模和相關方法。

背景技術

半導體器件制造工藝期間的光刻工藝是通過將光照射到涂覆在基板上的光敏膜上而形成電路圖案的技術。可以使用深紫外(DUV)光源作為光源。此外，正在研究使用諸如EUV射線、電子束、X射線和離子束的光源的工藝，并且正在開發EUV射線和電子束曝光工藝。

發明內容

實施方式涉及一種在掩模基板上制造用于極紫外(EUV)曝光工藝的EUV掩模的方法，該方法包括：考慮由EUV曝光工藝中使用的狹縫造成的影響，構建第一監控宏(monitoring macro)；使用多個第二監控宏執行光學鄰近校正(OPC)，其中所述多個第二監控宏的每個與第一監控宏基本相同；輸入通過OPC獲取的掩模流片(MTO)設計數據；準備包括數據格式轉換、掩模工藝校正(MPC)和用于MTO設計數據的掩模相關信息命令文本(job-deck)中的至少一個的掩模數據；以及基于掩模數據對掩模基板執行EUV曝光(寫入)。

實施方式還涉及一種提供監控宏的方法，該方法包括：通過對樣本宏執行第一模擬而生成第一模擬模型，樣本宏包括彼此間隔開地布置的多個圖案陣列，每個圖案陣列包括多個圖案；通過對樣本宏執行與第一模擬不同的第二模擬而生成第二模擬模型；將第一模擬模型和第二模擬模型相互比較；以及通過選擇樣本宏的所述多個圖案中的至少一些而構建監控宏。

實施方式還涉及一種光學鄰近校正(OPC)方法，該方法包括：考慮由極紫外(EUV)曝光工藝中使用的狹縫引起的像差(aberration)，構建第一監控宏；生成包括多個第二監控宏的EUV掩模設計布局的OPC模型，其中所述多個第二監控宏的每個與第一監控宏基本相同；以及校正OPC模型。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例實施方式，特征對本領域技術人員將變得明顯，附圖中：

圖1示出監控宏以間隔布置的一示例實施方式的布局圖；

圖2示出根據一示例實施方式的提供監控宏的方法的流程圖；

圖3A和3B示出根據一示例實施方式的提供監控宏的方法的布局圖；

圖4A和4B示出根據一示例實施方式的提供監控宏的方法的效果的曲線圖；

圖5A示出使用極紫外(EUV)掩模的曝光工藝中的陰影的剖視圖；

圖5B示出入射于EUV掩模的光的概念圖，以描述EUV曝光工藝中發生像差的原因；

圖6示出根據一示例實施方式的光學鄰近校正(OPC)方法的流程圖；

圖7A至7D示出根據一示例實施方式的OPC方法的布局圖；

圖8和9示出根據一示例實施方式的EUV掩模制造方法的流程圖；以及

圖10示出根據一示例實施方式的半導體器件制造方法的流程圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖詳細描述示例實施方式。這里，同樣的附圖標記將表示同樣的元件，并且為了簡潔，將省略其多余的描述。