[發(fā)明專利]極紫外掩模制造法、提供監(jiān)控宏的方法及光學(xué)鄰近校正法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811363145.2
• 申請(qǐng)日: 2018-11-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109839798A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔云爀;鄭魯永
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/36
• 分類號(hào): G03F1/36;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波

1.一種在掩模基板上制造用于極紫外(EUV)曝光工藝的極紫外掩模的方法，所述方法包括：

考慮由所述極紫外曝光工藝中使用的狹縫造成的影響，構(gòu)建第一監(jiān)控宏；

使用多個(gè)第二監(jiān)控宏執(zhí)行光學(xué)鄰近校正(OPC)，其中所述多個(gè)第二監(jiān)控宏的每個(gè)與所述第一監(jiān)控宏基本相同；

輸入通過(guò)所述光學(xué)鄰近校正獲取的掩模流片(MTO)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)；

準(zhǔn)備掩模數(shù)據(jù)，所述準(zhǔn)備掩模數(shù)據(jù)包括數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換、掩模工藝校正(MPC)和用于掩模流片設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的掩模相關(guān)信息命令文本的增強(qiáng)中的至少一個(gè)；以及

基于所述掩模數(shù)據(jù)對(duì)所述掩模基板執(zhí)行極紫外曝光。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述掩模流片設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中，所述多個(gè)第二監(jiān)控宏布置在與所述極紫外掩模的劃片槽對(duì)應(yīng)的區(qū)域上。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述多個(gè)第二監(jiān)控宏在一個(gè)方向上彼此間隔開(kāi)并且以相等的間隔布置。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述一個(gè)方向是所述極紫外曝光工藝中使用的所述狹縫的大體延伸方向。

5.一種提供監(jiān)控宏的方法，所述方法包括：

通過(guò)對(duì)樣本宏執(zhí)行第一模擬而生成第一模擬模型，所述樣本宏包括彼此間隔開(kāi)地布置的多個(gè)圖案陣列，每個(gè)圖案陣列包括多個(gè)圖案；

通過(guò)對(duì)所述樣本宏執(zhí)行與所述第一模擬不同的第二模擬而生成第二模擬模型；

將所述第一模擬模型和所述第二模擬模型相互比較；以及

通過(guò)選擇所述樣本宏的所述多個(gè)圖案中的至少一些而構(gòu)建監(jiān)控宏。

6.如權(quán)利要求5所述的提供監(jiān)控宏的方法，其中所述多個(gè)圖案陣列每個(gè)包括光刻宏和標(biāo)準(zhǔn)單元中的至少一個(gè)。

7.如權(quán)利要求5所述的提供監(jiān)控宏的方法，其中所述多個(gè)圖案陣列基本上彼此相同。

8.如權(quán)利要求5所述的提供監(jiān)控宏的方法，其中所述監(jiān)控宏包括線寬和間距圖案以及接觸圖案中的至少一種。

9.如權(quán)利要求5所述的提供監(jiān)控宏的方法，其中所述多個(gè)圖案陣列在一個(gè)方向上彼此間隔開(kāi)并以相等的間隔布置。

10.如權(quán)利要求9所述的提供監(jiān)控宏的方法，其中所述一個(gè)方向是極紫外(EUV)曝光工藝中使用的狹縫大體延伸的方向。

11.如權(quán)利要求5所述的提供監(jiān)控宏的方法，其中所述第一模擬是考慮由極紫外(EUV)曝光工藝中使用的狹縫引起的像差的模擬。

12.如權(quán)利要求11所述的提供監(jiān)控宏的方法，其中所述第二模擬是不考慮由所述狹縫引起的像差的模擬。

13.如權(quán)利要求12所述的提供監(jiān)控宏的方法，其中所述監(jiān)控宏的構(gòu)建包括按照所述圖案陣列的所述第一模擬模型與所述第二模擬模型之間的臨界尺寸差異的降序選擇所述多個(gè)圖案中的一個(gè)或更多個(gè)。

14.一種光學(xué)鄰近校正(OPC)方法，所述方法包括：

考慮由極紫外(EUV)曝光工藝中使用的狹縫引起的像差，構(gòu)建第一監(jiān)控宏；

生成包括多個(gè)第二監(jiān)控宏的極紫外掩模設(shè)計(jì)布局的光學(xué)鄰近校正模型，其中所述多個(gè)第二監(jiān)控宏的每個(gè)與所述第一監(jiān)控宏基本相同；以及

校正所述光學(xué)鄰近校正模型。

15.如權(quán)利要求14所述的光學(xué)鄰近校正方法，還包括：在所述光學(xué)鄰近校正模型的校正之后，基于所述多個(gè)第二監(jiān)控宏生成光學(xué)鄰近校正驗(yàn)證模型，并基于所述光學(xué)鄰近校正驗(yàn)證模型執(zhí)行光學(xué)鄰近校正驗(yàn)證，

其中當(dāng)執(zhí)行所述光學(xué)鄰近校正驗(yàn)證時(shí)沒(méi)有誤差時(shí)，所述光學(xué)鄰近校正方法結(jié)束。