[發明專利]一種掩模板及其制作方法在審
| 申請號: | 201811360960.3 | 申請日: | 2018-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN109491191A | 公開(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發明(設計)人: | 葉小龍;黃執祥 | 申請(專利權)人: | 深圳市龍圖光電有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281 | 代理人: | 彭家恩;郭燕 |
| 地址: | 518104 廣東省深圳市寶安區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻光層 透光通孔 掩模板 產品原材料 光學透過率 基板 感光材料 最小分辨率 輻射能量 曝光系統 不透光 對準式 光衍射 透過率 透光 直射 排布 通孔 制作 照射 垂直 鋪設 曝光 貫穿 申請 | ||
本申請公開了一種掩模板及其制作方法,掩模板包括:基板和阻光層;阻光層鋪設在基板上;阻光層上排布有多個透光通孔,所述透光通孔沿垂直于阻光層的方向貫穿阻光層,透光通孔的孔徑a為:0.8um≤a≤4um。透光通孔的孔徑小于對準式曝光系統的最小分辨率,進行曝光時,透過通孔的光線不再以直射的方式照射到產品原材料上,而是以光衍射的輻射能量的形式存在于產品原材料表面的感光材料內,從而起到改變阻光層的光學透過率的效果,阻光層的透過率可以改變為0(不透光)至100%(透光)間的任意值,使得阻光層的不同部位可以具有不同的光學透過率。
技術領域
本申請涉及掩模板領域,特別涉及一種掩模板及其制作方法。
背景技術
掩膜板由表面記載著圖形、文字等信息的金屬層薄膜或阻光層薄膜和基板組合而成,其廣泛用于IC、FPD、MEMS、光學器件等行業的模具。
傳統光學掩膜版上每個區域只有0(不透光)或100%(透光)兩種光學透過率,在利用掩模板生產具有多層結構的產品時,通常采用對準套刻式生產,將一個產品的總圖形信息按工藝要求分成多層子圖形,并將子圖形制作成相對應的曝光用掩模板(有多少層子圖形就有多少層掩模板),每個掩模板上都有對位標記,在生產時按一定的工藝順序使每層子圖形掩模板上的對位標記重合再進行曝光生產。
但是,在實際生產中會存在很多導致對準套刻偏差的因素,例如,每張子圖形掩模板制作時環境偏差所引起的圖形伸縮(例如溫度而引起的圖形熱膨脹),每張子圖形掩模板因不同設備制作而引起的設備偏差,生產產品時因不同子掩模板使用時間不同的環境偏差所引起的圖形伸縮,產品生產設備的對準精度問題引起的多張子圖形之間的對準偏差等等,影響了產品生產的精度,提升了廢品率。
發明內容
本申請提供一種掩模板及其制作方法,解決了現有掩模板生產多層結構產品時精度低、廢品率高的問題。
本申請提供一種掩模板,包括基板和阻光層;所述阻光層鋪設在基板上;所述阻光層上排布有多個透光通孔,所述透光通孔沿垂直于阻光層的方向貫穿阻光層,所述透光通孔的孔徑a為:0.8um≤a≤4um。
本申請提供一種掩模板的制作方法,用于制作上述的掩模板,透光通孔設置步驟:根據待生產掩模板的透光率選擇透光通孔的形狀、孔徑和排布密度,將選擇的透光通孔排布在二維平面上,形成透光通孔排布區域,透光通孔的孔徑與阻光層的光學透過率成正比,透光通孔的排布密度與阻光層的光學透過率成正比;圖形擬合步驟:將產品的二維輪廓圖正投影到透光通孔排布區域上,產品的輪廓線將透光通孔排布區域分割,刪除位于產品輪廓線外部的透光通孔和透光通孔位于產品輪廓線外的部分,得到輪廓線內填充有透光通孔的二維擬合圖;曝光步驟:將二維擬合圖導入到直寫式光刻機中,直寫式光刻機將二維擬合圖曝光到掩模板的原材料上;顯影步驟:通過顯影液對經過曝光處理的掩模板原材料進行化學蝕刻,得到阻光層上排布有透光通孔的掩模板。
本申請的有益效果:
本申請所提供的一種掩模板中,阻光層與曝光光線接觸的排布有多個透光通孔,所述透光通孔的孔徑a為:0.8um≤a≤4um。透光通孔的孔徑小于對準式曝光系統的最小分辨率,進行曝光時,透過通孔的光線不再以直射的方式照射到產品原材料上,而是以光衍射的輻射能量的形式存在于產品原材料表面的感光材料內,從而起到改變阻光層的光學透過率的效果,阻光層的透過率可以改變為0(不透光)至100%(透光)間的任意值,使得阻光層的不同部位可以具有不同的光學透過率,工作人員可以使用具有不同光學透過率的掩模板生產多層結構的產品,無需采用多個掩模板對準套刻生產,避免了對準套刻生產中的偏差,提升了產品生產的精度,降低了廢品率,減少了曝光次數,從而節省了工序,減少了使用掩模板的張數,節約了成本。
附圖說明
圖1為本申請一種實施例中掩模板的正視圖;
圖2為本申請一種實施例中掩模板的俯視圖;
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





