[發明專利]支撐單元和包括該支撐單元的基板處理裝置在審
| 申請號: | 201811360555.1 | 申請日: | 2018-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN109801858A | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發明(設計)人: | 李承杓;金炯俊 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 楊黎峰;鐘錦舜 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 支撐單元 基板處理裝置 基板 銷孔 溫度均勻性 發明構思 分離基板 負壓 保證 | ||
1.一種基板處理裝置,包括:
腔室,所述腔室在所述基板處理裝置的內部提供處理空間;
支撐單元,所述支撐單元位于所述處理空間中并且在所述支撐單元上放置基板;
氣體供應單元,所述氣體供應單元被配置為將工藝氣體噴射到所述處理空間中;和
等離子體產生單元,所述等離子體產生單元被配置為從所述工藝氣體產生等離子體,
其中所述支撐單元包括:
氣體管線,所述氣體管線形成在所述支撐單元中以在位于所述支撐單元上的所述基板和所述支撐單元之間供應傳熱氣體;
升降銷,所述升降銷被配置穿通過形成在所述支撐單元中的銷孔升降,并被配置為將所述基板傳送到所述支撐單元或從所述支撐單元接收所述基板;和
供應管線,所述供應管線被配置為向所述銷孔供應氣體。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,所述供應管線從所述氣體管線分支,并且被供應到所述銷孔的氣體是所述傳熱氣體。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其中,所述傳熱氣體是氦氣。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置,其中,在所述供應管線中安裝有被配置為將所述供應管線的內部打開和關閉的閥。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置,其中,排出所述銷孔的內部的氣體的通風管線連接到所述銷孔,并且在所述通風管線中安裝有將所述通風管線的內部打開和關閉的閥。
6.根據權利要求5所述的基板處理裝置,其中,所述通風管線被配置為將所述氣體排放到所述處理空間中。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置,其中,所述支撐單元包括:
靜電卡盤,所述靜電卡盤被配置為通過靜電力吸附所述基板;
電極板,所述電極板布置在所述靜電卡盤下方;和
絕緣板,所述絕緣板布置在冷卻板下方,并且
其中所述供應管線布置在所述絕緣板中。
8.根據權利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置,其中,在所述支撐單元中設置有多個銷孔,并且在所述銷孔中分別設置有多個供應管線。
9.一種支撐基板的支撐單元,所述支撐單元包括:
氣體管線,所述氣體管線形成在所述支撐單元中,以在位于所述支撐單元上的所述基板的底表面和所述支撐單元的上表面之間供應傳熱氣體;
升降銷,所述升降銷被配置為穿過形成在所述支撐單元中的銷孔升降,并被配置為將所述基板傳送到所述支撐單元或從所述支撐單元接收所述基板;和
供應管線,所述供應管線被配置為向所述銷孔供應氣體。
10.根據權利要求9所述的支撐單元,其中,所述支撐單元包括:
靜電卡盤,所述靜電卡盤被配置為通過靜電力吸附所述基板;
電極板,所述電極板布置在所述靜電卡盤下方;和
絕緣板,所述絕緣板布置在所述冷卻板下方,
其中所述氣體管線配置為穿過所述靜電卡盤、所述電極板和所述絕緣板,并且
其中,所述升降銷被配置為通過從所述靜電卡盤延伸到所述絕緣板的銷孔在所述銷孔內部升降。
11.根據權利要求9所述的支撐單元,其中所述供應管線從所述氣體管線分支,并且在所述供應管線中安裝有被配置為將所述供應管線的內部打開和關閉的閥。
12.根據權利要求9所述的支撐單元,其中,排出所述銷孔的內部的氣體的通風管線連接到所述銷孔,并且在所述通風管線中安裝有將所述通風管線的內部打開和關閉的閥。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





