[發明專利]支撐單元和包括該支撐單元的基板處理裝置

在審

• 申請號: 201811360555.1
• 申請日: 2018-11-15
• 公開（公告）號: CN109801858A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 李承杓;金炯俊
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 楊黎峰;鐘錦舜

本發明公開了支撐單元和包括該支撐單元的基板處理裝置。本發明構思提供了一種支撐單元和基板處理裝置，該支撐單元可以保證基板上的面對銷孔的區域與基板的其他區域之間的溫度均勻性，并且可以解決當基板與支撐單元分離時由于銷孔中的負壓而導致不容易分離基板的問題。

技術領域

本文描述的本發明構思的實施方式涉及支撐單元和包括該支撐單元的基板處理裝置，更具體地，涉及將傳熱氣體供應到位于支撐單元上的基板的底表面的支撐單元和包括該支撐單元基板處理裝置。

背景技術

為了制造半導體器件，需要通過使用等離子體處理基板的各種工藝，例如蝕刻工藝、沉積工藝、灰化工藝和退火工藝。在等離子體處理過程中，通過從供應到工藝腔室內部的工藝氣體產生等離子體并使等離子體與基板反應來處理基板。

通常，如圖1所示，等離子體處理裝置具有支撐單元1，該支撐單元1被配置為通過使用靜電力來支撐基板。升降銷2設置在支撐單元1中，使得可以在支撐單元1和傳輸基板的機械手之間傳送和接收外部基板。在升降銷2插入到形成在支撐單元1中的銷孔3的狀態下，升降銷2沿著銷孔3向上和向下移動。

此外，通過氣體管線4將諸如氦氣的傳熱氣體供應到基板的底表面與支撐單元1的上表面之間的空間，使得基板的溫度可以總體上保持均勻。傳熱氣體通過形成在支撐單元1中的氣體管線4被供應到基板的底表面。

然而，因為在通過等離子體的基板處理過程中銷孔3的內部被保持在真空或低壓狀態，所以傳熱氣體難以存在于銷孔3的上側，因此，面對銷孔3的基板區域的溫度均勻性低于其他區域的溫度均勻性。

此外，如圖2所示，因為當通過使用升降銷2將基板與支撐單元1分離時，銷孔3的內部被保持在真空或低壓狀態，所以力P2沿著與升降銷2提升基板的力P1的方向相反的方向被施加到基板上，因此，基板可能被損壞。

發明內容

本發明構思的實施方式提供了一種支撐單元和基板處理裝置，該支撐單元可以保證基板上的面對銷孔的區域與基板的其他區域之間的溫度均勻性。

本發明構思的實施方式還提供了一種支撐單元以及基板處理裝置，該支撐單元可以解決當基板與支撐單元分離時由于銷孔中的負壓而不容易分離基板的問題。

待由本發明構思解決的問題不限于上述問題，并且未提及的問題將由本發明構思所屬領域技術人員從本說明書和附圖中清楚地理解。

本發明構思提供了一種基板處理裝置。根據一個實施方式，基板處理裝置包括：腔室，所述腔室在所述基板處理裝置的內部提供處理空間；支撐單元，所述支撐單元位于所述處理空間中并且在所述支撐單元上放置基板；氣體供應單元，所述氣體供應單元被配置為將工藝氣體噴射到所述處理空間中；和等離子體產生單元，所述等離子體產生單元被配置為從所述工藝氣體產生等離子體，其中所述支撐單元包括：氣體管線，所述氣體管線形成在所述支撐單元中以在位于所述支撐單元上的所述基板和所述支撐單元之間供應傳熱氣體；升降銷，所述升降銷被配置為穿過形成在所述支撐單元中的銷孔升降，并被配置為將所述基板傳送到所述支撐單元或從所述支撐單元接收所述基板；和供應管線，所述供應管線被配置為向所述銷孔供應氣體。

供應管線可以從氣體管線分支，并且被供應到銷孔的氣體是傳熱氣體。

傳熱氣體可以是氦氣。

在供應管線中可以安裝有被配置成打開和關閉供應管線內部的閥。

排出銷孔內部的氣體的通風管線可以連接到銷孔，并且在通風管線中安裝有打開和關閉通風管線的內部的閥。

通風管線可以被配置成將氣體排放到處理空間中。

支撐單元可以包括：靜電卡盤，其被配置為通過靜電力吸附基板；電極板，其布置在靜電卡盤下方；和絕緣板，其布置在冷卻板下方，并且供應管線可以布置在絕緣板中。