[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝襯底及其制造方法、半導(dǎo)體封裝及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811357911.4
• 申請(qǐng)日: 2018-11-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110189999B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裵仁燮;姜圣日;尹東陳
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 海成帝愛(ài)斯株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/48;H01L23/495
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 張雅文

1.一種制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底襯底的底部表面中形成多個(gè)第一凹槽或多個(gè)第一溝槽，所述基底襯底具有頂部表面和所述底部表面且由導(dǎo)電材料形成；

用樹(shù)脂填充所述多個(gè)第一凹槽或溝槽；

固化所述樹(shù)脂；

去除過(guò)度填充于所述多個(gè)第一凹槽或溝槽中的所述樹(shù)脂的暴露部分；

對(duì)所述基底襯底的所述頂部表面進(jìn)行蝕刻以暴露填充于所述多個(gè)第一凹槽或溝槽中的所述樹(shù)脂的至少部分；以及

在所述基底襯底的所述底部表面中形成第二凹槽或第二溝槽，

所述第二凹槽或溝槽在用所述樹(shù)脂填充所述基底襯底之后形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，其特征在于，對(duì)所述基底襯底的所述頂部表面的所述蝕刻與所述第二凹槽或溝槽的所述形成同時(shí)執(zhí)行。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，其特征在于，所述第二凹槽或溝槽的所述形成包括沿切割線(xiàn)形成所述第二凹槽或溝槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，其特征在于，所述第二凹槽或溝槽的所述形成包括在用所述樹(shù)脂填充的相鄰的所述多個(gè)第一凹槽或溝槽之間形成所述第二凹槽或溝槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，其特征在于，在用所述樹(shù)脂對(duì)所述多個(gè)第一凹槽或溝槽進(jìn)行所述填充之前，進(jìn)一步包括使所述多個(gè)第一凹槽或溝槽的內(nèi)部表面粗糙化。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，其特征在于，經(jīng)由所述多個(gè)第一凹槽或溝槽暴露于所述基底襯底的所述底部表面上的所述樹(shù)脂的面積大于經(jīng)由所述第二凹槽或溝槽暴露于所述基底襯底的所述頂部表面上的所述樹(shù)脂的面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述基底襯底上形成鍍層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，其特征在于，所述鍍層的所述形成包括在所述第二凹槽或溝槽的內(nèi)部表面上形成所述鍍層。

9.一種半導(dǎo)體封裝襯底，其特征在于，通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法來(lái)制造。

10.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底襯底的底部表面中形成多個(gè)第一凹槽或多個(gè)第一溝槽，所述基底襯底具有頂部表面和所述底部表面且由導(dǎo)電材料形成；

用樹(shù)脂填充所述多個(gè)第一凹槽或溝槽；

固化所述樹(shù)脂；

去除過(guò)度填充于所述多個(gè)第一凹槽或溝槽中的所述樹(shù)脂的暴露部分；

對(duì)所述基底襯底的所述頂部表面進(jìn)行蝕刻以暴露填充于所述多個(gè)第一凹槽或溝槽中的所述樹(shù)脂的至少部分；

在所述基底襯底的所述底部表面中形成第二凹槽或第二溝槽；

在所述基底襯底上安裝半導(dǎo)體芯片；以及

沿所述第二凹槽或溝槽切割所述基底襯底，

所述第二凹槽或溝槽在用所述樹(shù)脂填充所述基底襯底之后形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，對(duì)所述基底襯底的所述頂部表面的所述蝕刻與所述第二凹槽或溝槽的所述形成同時(shí)執(zhí)行。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述第二凹槽或溝槽的所述形成包括在用所述樹(shù)脂填充的相鄰的多個(gè)第一凹槽或溝槽之間形成所述第二凹槽或溝槽。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，在所述基底襯底的所述切割中，用于切割所述基底襯底的切割線(xiàn)的寬度小于所述第二凹槽或溝槽的寬度。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述基底襯底上形成鍍層。

15.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法來(lái)制造。