[發明專利]一種雙向聚焦質量分析器有效
| 申請號: | 201811357795.6 | 申請日: | 2018-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN111190215B | 公開(公告)日: | 2022-02-15 |
| 發明(設計)人: | 張喻召;肖志強;李士會 | 申請(專利權)人: | 北京中科信電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G01T1/29 | 分類號: | G01T1/29 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人: | 馬強 |
| 地址: | 101111 北京市通*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙向 聚焦 質量 分析器 | ||
本發明公開了一種雙向聚焦質量分析器,包括:磁軛(1)、磁極(2)、線圈(3)、磁屏蔽板(4)、真空盒(5)。質量分析器磁極半徑R為400mm,偏轉角度為90°,磁極間距D為50mm,焦距1為83mm,入射角α和出射角β均為27.58°,質量分析器的質量分辨率為125。磁屏蔽板(4)距離磁極邊界距離為50mm。在離子注入機上,質量分析器的作用是通過加不同的電流,使離子束有不同的運動軌跡,加上分析光欄后即可對離子種類進行篩選。束流通過雙向聚焦的質量分析器后,會在水平方向與豎直方向分別對束流產生聚焦作用,在水平方向產生一個焦點,配合分析光欄篩選離子;在豎直方向也有聚焦作用,減小束流豎直方向發散度,提高束流的傳輸效率。本發明涉及離子注入裝置,隸屬于半導體制造領域。
技術領域
本發明涉及一種集成電路制造裝備,即離子注入機,特別地涉及一種用于離子注入機的一種雙向聚焦質量分析器。
背景技術
隨著集成電路工藝技術的提高,對離子注入設備提出了更高的要求;對于離子注入的元素篩選精度要求更高,對于注入束流的電流強度要求也更大。質量分析器作為離子注入設備上的元素篩選設備,其性能對于離子注入工藝指標影響巨大。
一種體積小、分辨率高,且能在水平和豎直方向均有聚焦作用的質量分析裝置,對于離子注入設備提高注入元素純度,提高束流傳輸效率和降低重量與加工成本十分重要。
發明內容
本發明公開了一種雙向聚焦質量分析器,在離子注入機工作過程中,質量分析器的作用是通過加不同的電流,使離子束有不同的運動軌跡,加上分析光欄后即可對離子種類進行篩選。束流通過雙向聚焦的質量分析器后,會在水平方向與豎直方向分別對束流產生聚焦作用,在水平方向產生一個焦點,配合分析光欄篩選離子;在豎直方向也有聚焦作用,減小束流豎直方向發散度,提高束流的傳輸效率。
本發明通過以下技術方案實現:
1、一種雙向聚焦質量分析器,包括:磁軛(1)、磁極(2)、線圈(3)、磁屏蔽板(1)、真空盒(5)。質量分析器磁極半徑R為400mm,偏轉角度為90°,磁極間距D為50mm,焦距1為83mm,入射角α和出射角β均為27.58°,質量分析器的質量分辨率為125。其特征在于采用扇形磁極曲面,磁極曲面夾角小于 90度,離子束的入射角度和出射角度均為27.58度,磁極邊緣場效應會使離子束在豎直方向也有聚焦作用,從而使水平和豎直方向焦點在一個位置。在分析器入口和出口處有磁屏蔽板,防止磁場泄露引起的束流軌跡偏移。
2.如權利要求1所述的一種雙向聚焦質量分析器,其特征在于采用扇形磁極,角度為34.84°,半徑為400mm,磁極間距為50mm,束流垂直真空盒入射時,離子束的入射角度和出射角度均為27.58度,分析器對于離子束在水平與垂直方向均有聚焦作用。
3.如權利要求1所述的一種雙向聚焦質量分析器,其特征雙向聚焦作用的焦距為83mm。
4.如權利要求1所述的一種雙向聚焦質量分析器,其特征在于在半徑比較小的情況下,在出、入射束流尺寸小于1.8mm時,質量分辨率m/Δm為125,即小體積,大分辨率。
5.如權利要求1所述的一種雙向聚焦質量分析器,其特征在于在真空盒入口和出口處有磁屏蔽板,屏蔽板位置距離磁極邊緣距離為D=50mm,可有效防止磁場泄漏引起的束流軌跡偏移。
本發明具有如下顯著優點:
1.半徑400mm,體積小,重量輕。
2.磁極為34.84°的扇形面,入射角和出射角均為27.58°,對離子束具有雙向聚焦功能,減小束流傳輸損失,提高傳輸效率。
3.分辨率高。
4.具有磁屏蔽板,防止磁場泄露引起的束流軌跡偏移。
附圖說明
圖1雙聚焦質量分析器總裝圖
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