[發(fā)明專利]一種真空蒸發(fā)鍍膜方法、混合物、制備光學(xué)薄膜的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811355439.0 | 申請日: | 2018-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN111188013A | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬道遠(yuǎn) | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市融光納米科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/08 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空 蒸發(fā) 鍍膜 方法 混合物 制備 光學(xué)薄膜 | ||
本申請公開了一種真空蒸發(fā)鍍膜方法、混合物、制備光學(xué)薄膜的方法,所述方法包括:在真空蒸發(fā)設(shè)備中設(shè)置蒸鍍材料及熱傳導(dǎo)材料;對所述蒸鍍材料及熱傳導(dǎo)材料進(jìn)行加熱,以使得所述蒸鍍材料蒸發(fā)至待成膜區(qū)域成膜,所述熱傳導(dǎo)材料留置于所述真空蒸發(fā)設(shè)備中。通過上述方式,本申請能夠提高成膜表面的光潔度。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種真空蒸發(fā)鍍膜方法、混合物、制備光學(xué)薄膜的方法。
背景技術(shù)
納米結(jié)構(gòu)色晶體是指光學(xué)薄膜顏料片,是由光學(xué)薄膜粉碎制成。光學(xué)薄膜一般在基板上形成,而為了提高生產(chǎn)效率,常常會(huì)在基板上制備多層光學(xué)薄膜,多層光學(xué)薄膜之間用犧牲層(或脫膜層)隔開,后期只需去除犧牲層即可獲得光學(xué)薄膜。
本申請的發(fā)明人在長期研究過程中發(fā)現(xiàn),現(xiàn)有技術(shù)中形成犧牲層的方法一般為真空蒸發(fā)鍍膜方法,在蒸鍍材料蒸發(fā)過程中,往往會(huì)發(fā)生爆沸或者飛濺,使得所形成的犧牲層表面光潔度低,進(jìn)而影響后續(xù)在犧牲層表面形成的光學(xué)膜層的表面光潔度。
發(fā)明內(nèi)容
本申請主要解決的技術(shù)問題是提供一種真空蒸發(fā)鍍膜方法、混合物、制備光學(xué)薄膜的方法,能夠提高膜層表面光潔度。
為解決上述技術(shù)問題,本申請采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種真空蒸發(fā)鍍膜方法,所述方法包括:在真空蒸發(fā)設(shè)備中設(shè)置蒸鍍材料及熱傳導(dǎo)材料;對所述蒸鍍材料及熱傳導(dǎo)材料進(jìn)行加熱,以使得所述蒸鍍材料蒸發(fā)至待成膜區(qū)域成膜,所述熱傳導(dǎo)材料留置于所述真空蒸發(fā)設(shè)備中。
其中,所述熱傳導(dǎo)材料和所述蒸鍍材料的熔點(diǎn)在300℃~2500℃,且所述熱傳導(dǎo)材料的熔點(diǎn)大于所述蒸鍍材料的沸點(diǎn)。
其中,所述熱傳導(dǎo)材料與所述蒸鍍材料混合為一體,且兩者之間的質(zhì)量比為1:2~2:1。
其中,所述熱傳導(dǎo)材料和所述蒸鍍材料分別包括氯化鈉、碘化鈉、硫酸鈉、硫酸鉀、溴化鉀、溴化鈉、三氧化二鋁、碘化鋅、硝酸鈉中至少一種。
其中,所述熱傳導(dǎo)材料為三氧化二鋁、所述蒸鍍材料為氯化鈉;或者,所述熱傳導(dǎo)材料為三氧化二鋁、所述蒸鍍材料為硫酸鈉;所述熱傳導(dǎo)材料為三氧化二鋁、所述蒸鍍材料為溴化鈉;或者,所述熱傳導(dǎo)材料為三氧化二鋁、所述蒸鍍材料為氯化鈉和溴化鈉的混合物;或者,所述熱傳導(dǎo)材料為氯化鈉、所述蒸鍍材料為碘化鋅;或者,所述熱傳導(dǎo)材料為硫酸鈉、所述蒸鍍材料為硝酸鈉。
為解決上述技術(shù)問題,本申請采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種真空蒸發(fā)鍍膜用混合物,所述混合物包括蒸鍍材料和熱傳導(dǎo)材料,在加熱條件下,所述熱傳導(dǎo)材料能夠?qū)崃烤鶆蚍€(wěn)定地傳導(dǎo)至所述蒸鍍材料,使所述蒸鍍材料蒸發(fā)至待成膜區(qū)域成犧牲層,而留下所述熱傳導(dǎo)材料。
其中,所述熱傳導(dǎo)材料和所述蒸鍍材料的熔點(diǎn)在300℃~2500℃,且所述熱傳導(dǎo)材料的熔點(diǎn)大于所述蒸鍍材料的沸點(diǎn),所述熱傳導(dǎo)材料與所述蒸鍍材料混合為一體,且兩者之間的質(zhì)量比為1:2~2:1。
其中,所述熱傳導(dǎo)材料和所述蒸鍍材料分別包括氯化鈉、碘化鈉、硫酸鈉、硫酸鉀、溴化鉀、溴化鈉、三氧化二鋁、碘化鋅、硝酸鈉中至少一種。
其中,所述熱傳導(dǎo)材料為三氧化二鋁、所述蒸鍍材料為氯化鈉;或者,所述熱傳導(dǎo)材料為三氧化二鋁、所述蒸鍍材料為硫酸鈉;所述熱傳導(dǎo)材料為三氧化二鋁、所述蒸鍍材料為溴化鈉;或者,所述熱傳導(dǎo)材料為三氧化二鋁、所述蒸鍍材料為氯化鈉和溴化鈉的混合物;或者,所述熱傳導(dǎo)材料為氯化鈉、所述蒸鍍材料為碘化鋅;或者,所述熱傳導(dǎo)材料為硫酸鈉、所述蒸鍍材料為硝酸鈉。
為解決上述技術(shù)問題,本申請采用的又一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種制備光學(xué)薄膜的方法,所述方法包括:提供基板;在所述基板一側(cè)利用上述任一實(shí)施例所述的真空蒸發(fā)鍍膜方法形成第一犧牲層,所述第一犧牲層由所述蒸鍍材料形成;在所述第一犧牲層遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)形成第一光學(xué)薄膜;去除所述第一犧牲層以剝離得到所述第一光學(xué)薄膜。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市融光納米科技有限公司,未經(jīng)深圳市融光納米科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811355439.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測試終端的測試方法
- 一種服裝用人體測量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





