[發明專利]一種管式PECVD石墨舟結構有效
| 申請號: | 201811354016.7 | 申請日: | 2018-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN109524336B | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發明(設計)人: | 肖潔;吳德軼;成秋云;張春成 | 申請(專利權)人: | 湖南紅太陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周長清;戴玲 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pecvd 石墨 結構 | ||
本發明的管式PECVD石墨舟結構,包括陶瓷基座、兩個舟片鎖緊盤組件、兩個陶瓷固定環、石墨棒和多個舟片,舟片鎖緊盤組件包括陶瓷絕緣盤和石墨導電盤,石墨導電盤上設有多個卡槽和多個第一導電槽,卡槽與第一導電槽均勻交錯布置,陶瓷絕緣盤上設有多個卡齒,卡齒與卡槽的數量相等且二者配合,卡齒上設有第二導電槽,陶瓷基座上的安裝柱面上設有舟片安裝槽,陶瓷固定環上設有固定槽,舟片可沿軸向插入舟片安裝槽內,舟片前端同時卡在前端的第一導電槽和固定槽內,舟片的后端同時卡在后端的第二導電槽和固定槽內。本發明中舟片呈扇形布置,充分利用石英管的空間,載片量比現有大,石墨舟電極處在石英管的中心,而舟片在電極外周,能使氣流場更平順均勻。
技術領域
本發明涉及光伏制造領域,尤其涉及一種管式PECVD石墨舟結構。
背景技術
管式PECVD是光伏制造領域必不可少的裝備,近年來,隨著我國光伏產業的迅猛發展,對裝備的產能要求越來越高,為了提高石墨舟的載片量從而提高產能,最新的石墨舟已經最大限度地挖掘了載片潛力,其原理結構如圖1所示,舟片100上有三個卡點101,插片方向為箭頭所示,由于在箭頭一側沒有卡點,硅片是可以沿箭頭反方向一側滑出來的;石墨舟具有兩個電極102,高頻電源的正負極接在這兩個電極102之上,a表示兩個相鄰的舟片100分別接在上下兩個不同的電極上,如此石墨舟兩相鄰舟片之間可以形成電場,所有相隔的舟片連在同一個電極上,這就是石墨舟的舟片間放電原理。管式PECVD設備提高產能的方法有幾種,第一是增加設備的管數,從之前的2管到當前的5管,再增加會導致設備高度過高,此種方法大約已達極限;第二種方法是增加設備的單管產能,增加單管產能的方法也有兩種,其一是縮短單次鍍膜工藝時間,其二是增加單次鍍膜的硅片數量,也即增加單個石墨舟的載片量。
現有的石墨舟投影圖如圖2所示,想要提高載片量,可以增加石墨舟的長度,即增加列數,圖2為8列,已達極限,也可以增加石墨舟寬度,即增加舟片行數,但這樣會導致石英管的口徑變大,從而增加設備層高,這種方法潛力亦被發掘殆盡。
發明內容
本發明要解決的技術問題是克服現有技術的不足,提供一種載片量多、氣流場更平順均勻、布局合理的管式PECVD石墨舟結構。
為解決上述技術問題,本發明采用以下技術方案:
一種管式PECVD石墨舟結構,包括陶瓷基座、兩個舟片鎖緊盤組件、兩個陶瓷固定環、石墨棒和多個舟片,所述舟片鎖緊盤組件包括陶瓷絕緣盤和石墨導電盤,所述石墨導電盤上沿周向設有多個卡槽和多個第一導電槽,所述卡槽與第一導電槽均勻交錯布置,所述陶瓷絕緣盤上設有多個卡齒,所述卡齒與卡槽的數量相等,且卡齒可與卡槽配合,所述卡齒上設有第二導電槽,兩個舟片鎖緊盤組件固定在陶瓷基座的前后兩端,且前端的第一導電槽與后端的第二導電槽位于同一直線上,所述石墨棒穿設于陶瓷基座內,且石墨棒前端與前端的石墨導電盤之間絕緣連接,石墨棒后端與后端的石墨導電盤之間為導電連接,所述石墨棒的前端具有第一電極孔,所述石墨導電盤上設有第二電極孔,所述陶瓷固定環具有開口,兩個陶瓷固定環的通過各自的開口分別固定在陶瓷基座兩端,且陶瓷固定環的直徑大于石墨導電盤的直徑,所述陶瓷基座上設有安裝柱面,所述安裝柱面上設有多個周向均勻布置的舟片安裝槽,所述陶瓷固定環上設有多個固定槽,所述舟片可沿軸向插入舟片安裝槽內,所述舟片前端同時卡在前端的第一導電槽和陶瓷固定環的固定槽內,所述舟片的后端同時卡在后端的第二導電槽和陶瓷固定環的固定槽內。
作為上述技術方案的進一步改進,優選的,沿著陶瓷基座的軸向設有多個陶瓷連接環,所述陶瓷連接環具有開口,所述陶瓷連接環依次穿過各舟片,并通過開口的兩端固定在陶瓷基座上,所述陶瓷連接環的直徑大于石墨導電盤的直徑。
作為上述技術方案的進一步改進,優選的,所述舟片的每一面設有多組用于卡住硅片的卡點,各組卡點沿軸向均勻布置,每組卡點包括三個卡點,一個卡點位于一端,另外兩個卡點位于另一端,且三個卡點之間形成等腰三角形結構,在舟片安裝在陶瓷基座上之后,具有一個卡點的一端位于外側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





