[發明專利]一種管式PECVD石墨舟結構有效
| 申請號: | 201811354016.7 | 申請日: | 2018-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN109524336B | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發明(設計)人: | 肖潔;吳德軼;成秋云;張春成 | 申請(專利權)人: | 湖南紅太陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周長清;戴玲 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pecvd 石墨 結構 | ||
1.一種管式PECVD石墨舟結構,其特征在于:包括陶瓷基座(200)、兩個舟片鎖緊盤組件(300)、兩個陶瓷固定環(400)、石墨棒(500)和多個舟片(100),所述舟片鎖緊盤組件(300)包括陶瓷絕緣盤(310)和石墨導電盤(320),所述石墨導電盤(320)上沿周向設有多個卡槽(321)和多個第一導電槽(322),所述卡槽(321)與第一導電槽(322)均勻交錯布置,所述陶瓷絕緣盤(310)上設有多個卡齒(311),所述卡齒(311)與卡槽(321)的數量相等,且卡齒(311)可與卡槽(321)配合,所述卡齒(311)上設有第二導電槽(312),兩個舟片鎖緊盤組件(300)固定在陶瓷基座(200)的前后兩端,且前端的第一導電槽(322)與后端的第二導電槽(312)位于同一直線上,所述石墨棒(500)穿設于陶瓷基座(200)內,且石墨棒(500)前端與前端的石墨導電盤(320)之間絕緣連接,石墨棒(500)后端與后端的石墨導電盤(320)之間為導電連接,所述石墨棒(500)的前端具有第一電極孔(501),所述石墨導電盤(320)上設有第二電極孔(301),所述陶瓷固定環(400)具有開口,兩個陶瓷固定環(400)的通過各自的開口分別固定在陶瓷基座(200)兩端,且陶瓷固定環(400)的直徑大于石墨導電盤(320)的直徑,所述陶瓷基座(200)上設有安裝柱面(210),所述安裝柱面(210)上設有多個周向均勻布置的舟片安裝槽(211),所述陶瓷固定環(400)上設有多個固定槽(401),所述舟片(100)可沿軸向插入舟片安裝槽(211)內,所述舟片(100)前端同時卡在前端的第一導電槽(322)和陶瓷固定環(400)的固定槽(401)內,所述舟片(100)的后端同時卡在后端的第二導電槽(312)和陶瓷固定環(400)的固定槽(401)內。
2.根據權利要求1所述的管式PECVD石墨舟結構,其特征在于:沿著陶瓷基座(200)的軸向設有多個陶瓷連接環(600),所述陶瓷連接環(600)具有開口,所述陶瓷連接環(600)依次穿過各舟片(100),并通過開口的兩端固定在陶瓷基座(200)上,所述陶瓷連接環(600)的直徑大于石墨導電盤(320)的直徑。
3.根據權利要求1所述的管式PECVD石墨舟結構,其特征在于:所述舟片(100)的每一面設有多組用于卡住硅片的卡點(101),各組卡點(101)沿軸向均勻布置,每組卡點(101)包括三個卡點(101),一個卡點(101)位于一端,另外兩個卡點(101)位于另一端,且三個卡點(101)之間形成等腰三角形結構,在舟片(100)安裝在陶瓷基座(200)上之后,具有一個卡點(101)的一端位于外側。
4.根據權利要求1至3任意一項所述的管式PECVD石墨舟結構,其特征在于:所述舟片安裝槽(211)為T形槽,且T形槽的豎槽(2111)朝外,所述舟片(100)上設有可與T形槽的橫槽(2112)配合的凸條(102)。
5.根據權利要求1至3任意一項所述的管式PECVD石墨舟結構,其特征在于:所述石墨導電盤(320)具有臺階孔(323),所述石墨棒(500)的前端穿設在臺階孔(323)內,且二者之間設有絕緣凸環(220),所述絕緣凸環(220)固定在這一端的陶瓷基座(200)上。
6.根據權利要求5所述的管式PECVD石墨舟結構,其特征在于:所述石墨棒(500)的后端與這一端的石墨導電盤(320)的臺階孔(323)的臺階相抵接。
7.根據權利要求1至3任意一項所述的管式PECVD石墨舟結構,其特征在于:所述陶瓷基座(200)為倒V字形結構。
8.根據權利要求1至3任意一項所述的管式PECVD石墨舟結構,其特征在于:所述陶瓷固定環(400)的圓心角大于180°。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





