[發(fā)明專利]膜層的制作方法、顯示基板及其制作方法與設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811353103.0 | 申請日: | 2018-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN109546011B | 公開(公告)日: | 2021-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王世龍;蔣志亮;郜明浩 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/52;H01L33/52 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制作方法 顯示 及其 設(shè)備 | ||
1.一種顯示基板的制作方法,包括:
在襯底基板上形成多個發(fā)光顯示單元;
在所述多個發(fā)光單元遠離襯底基板的一側(cè)上形成有機層,其中,所述有機層包括平坦部和位于所述平坦部周圍的斜坡部,
在所述多個發(fā)光顯示單元遠離所述襯底基板的一側(cè)采用以下方法形成所述有機層:
對所述平坦部加熱以使所述平坦部的材料向所述斜坡部流動,從而所述斜坡部的靠近所述平坦部的一部分的厚度與所述平坦部的厚度相同以增加所述平坦部的平行于所述基板的方向的尺寸,
其中,所述顯示基板包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的周邊區(qū),所述多個發(fā)光顯示單元形成在所述顯示區(qū),
其中,加熱前,所述平坦部在所述襯底基板上的正投影位于所述顯示區(qū)在所述襯底基板上的正投影內(nèi),所述斜坡部在所述襯底基板上的正投影與所述顯示區(qū)在所述襯底基板上的正投影有交疊;
加熱后,所述斜坡部在所述襯底基板上的正投影與所述顯示區(qū)在所述襯底基板上的正投影沒有交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制作方法,其中,所述有機層的材料為在加熱狀態(tài)下可流動的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板的制作方法,其中,采用噴墨打印的方法形成所述有機層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板的制作方法,其中,采用噴墨打印的方法形成所述有機層包括:
在所述基板上打印有機材料,所述有機材料在流平過程中形成了所述平坦部和所述斜坡部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的顯示基板的制作方法,其中,對所述平坦部加熱包括:
僅對所述平坦部加熱,或者對所述平坦部加熱的溫度高于對所述斜坡部加熱的溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板的制作方法,其中,對所述平坦部加熱包括:
采用熱源對所述平坦部進行加熱,且所述有機層的被所述熱源加熱的區(qū)域在所述基板上的正投影位于加熱前的所述平坦部在所述基板上的正投影內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的顯示基板的制作方法,其中,所述平坦部的厚度均勻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的顯示基板的制作方法,其中,在加熱過程中,所述有機層在所述基板上的正投影的尺寸不變。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制作方法,其中,所述有機層為薄膜封裝層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板的制作方法,其中,對所述平坦部加熱的溫度不大于85℃。
11.一種顯示基板,由權(quán)利要求1-10任一項所述的顯示基板的制作方法制作而成。
12.一種制作權(quán)利要求11所述的顯示基板的設(shè)備,包括:
基臺,被配置為放置所述襯底基板;
加熱片,位于所述基臺的面向所述襯底基板的一側(cè),且所述加熱片在所述基臺上的正投影位于加熱前的所述平坦部在所述基臺上的正投影內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備,其中,所述加熱片和所述襯底基板真空吸附在所述基臺的表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
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- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
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