[發明專利]一種超硬耐磨ITO玻璃在審
| 申請號: | 201811351728.3 | 申請日: | 2018-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN109385611A | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發明(設計)人: | 汪劍飛;李飛;魏先釗;陳雄;梁興敦 | 申請(專利權)人: | 東莞市銀泰豐光學科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/12;C23C14/26 |
| 代理公司: | 東莞市永橋知識產權代理事務所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 何新華 |
| 地址: | 523981 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 玻璃基板 疏水層 耐磨 過渡層 附著力 耐酸堿腐蝕性能 玻璃 表面接觸角 表面設置 玻璃表面 耐磨性能 依次設置 滑度 | ||
本發明提供了一種超硬耐磨ITO玻璃,包括玻璃基板,所述玻璃基板上依次設置有Si3N4層、ITO層、過渡層、疏水層。本發明提供的超硬耐磨ITO玻璃,在鍍上ITO層前,先在玻璃基板上鍍上一層Si3N4層,提高了ITO層的附著力,在表面設置一層疏水層,提高了玻璃的表面接觸角,從而提高玻璃表面的滑度,在ITO層與疏水層之間增加了一個過渡層,提高了玻璃的硬度、耐磨性能、以及耐酸堿腐蝕性能。
技術領域
本發明涉及玻璃技術領域,具體涉及一種超硬耐磨ITO玻璃。
背景技術
ITO(氧化銦錫)是一種N型氧化物半導體,由于其優良的導電性能和透光性能,通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上,用作透明導電薄膜,同時能夠減少對人體有害的電子輻射及紫外輻射、紅外輻射。
普通的ITO玻璃,直接將ITO鍍在玻璃基板表面,ITO膜層直接與空氣接觸,由于ITO膜層的硬度低、耐磨性差、耐腐蝕性差,導致ITO膜層容易損壞,影響了其導電性能。為了解決這一問題,部分企業制作出一種ITO玻璃,先通過磁控濺射法濺射一層ITO膜層,然后在ITO膜層上再旋涂上一層疏水層,利用疏水層優良的疏水性能,保護ITO層。但是,利用旋轉陰極濺射沉積ITO層和疏水層,旋轉陰極容易破壞其真空環境,且需要將陰極不斷旋轉,制作出的ITO層凹凸不平,影響了ITO層的電學性能。
另外由于疏水層一般為氟的化合物,其與ITO沒有結合力,且耐磨性能和耐腐蝕性能較差,依然無法解決普通ITO玻璃的耐磨性差、耐腐蝕性差問題。
發明內容
針對以上問題,本發明提供一種超硬耐磨ITO玻璃,硬度高、耐磨性好、耐酸堿腐蝕性能好、導電性能優異。
為實現上述目的,本發明通過以下技術方案來解決:
一種超硬耐磨ITO玻璃,包括玻璃基板,所述玻璃基板上依次設置有Si3N4層、ITO層、過渡層、疏水層。
具體的,所述過渡層為Si3N4、SiO2中的一種。
具體的,所述過渡層的厚度為0.5~3nm。
具體的,所述疏水層為聚四氟乙烯薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜中的一種。
具體的,所述疏水層的厚度為10~20μm。
具體的,所述Si3N4層的厚度為5~10nm。
具體的,所述ITO層的厚度為10~45nm。
具體的,所述超硬耐磨ITO玻璃的制備方法包括以下步驟:
S1清洗玻璃基板,干燥后將玻璃基板置于磁控濺射區;
S2中頻電源加抽真空陰極濺射沉積Si3N4層,采用Si3N4,濺射區域真空度-2.0×103~-5.0×103Pa;氣氛為:工作氣體為Ar,體積流量為450~650SCCM,反應氣體為N2,體積流量為350~550SCCM;
S3高頻電源加抽真空陰極濺射沉積ITO層,采用純度為99.99%以上的ITO靶材,濺射區域真空度-2.0×103~-5.0×103Pa;氣氛為:工作氣體為Ar,體積流量為350~500SCCM,反應氣體為O2,體積流量為120~150SCCM;濺射時玻璃基板的溫度為300~350℃;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東莞市銀泰豐光學科技有限公司,未經東莞市銀泰豐光學科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811351728.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:以高熵液態合金靶材制作的手機鍍膜
- 下一篇:一種真空室內傳輸機構定位裝置
- 同類專利
- 專利分類





