[發(fā)明專利]靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811350862.1 | 申請(qǐng)日： | 2018-11-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109801654A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 桑吉夫庫馬爾甄恩;阿圖爾卡多奇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C11/417 | 分類號(hào)： | G11C11/417;G11C7/06;G11C7/10;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電平移位器 電壓輸入端 讀出放大器 電壓電平 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器單元 選擇性接收 第二信號(hào) 輸出端 位線 字線 配置 輸出 輸出端子 輸入連接 | ||
本發(fā)明提供一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置包括電壓輸入端、電平移位器、存儲(chǔ)器單元以及讀出放大器。電壓輸入端被配置成接收處于第一電壓電平的第一信號(hào)的電壓輸入端。電平移位器連接到電壓輸入端以接收第一信號(hào)，且電平移位器的輸出端被配置成輸出處于第二電壓電平的第二信號(hào)，第二電壓電平高于第一電壓電平。存儲(chǔ)器單元具有字線及位線。字線連接到電平移位器的輸出端以選擇性接收第二信號(hào)，位線連接到電壓輸入端以選擇性接收第一信號(hào)。讀出放大器連接到位線且被配置成提供存儲(chǔ)器單元的輸出。讀出放大器具有讀出放大器輸入，讀出放大器輸入連接到電平移位器的輸出端子以選擇性接收第二信號(hào)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施例是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器裝置，且特別是有關(guān)于一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置。
背景技術(shù)
一種常見類型的集成電路存儲(chǔ)器為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(static random accessmemory；SRAM)裝置。典型的SRAM存儲(chǔ)器裝置具有存儲(chǔ)器單元的陣列。每個(gè)存儲(chǔ)器單元使用6個(gè)晶體管連接于上部參考電位與下部參考電位(通常為接地)之間，從而使得兩個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的一個(gè)可由待存儲(chǔ)的信息占據(jù)，其中互補(bǔ)信息存儲(chǔ)在另一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)處。“雙軌式”SRAM架構(gòu)是指一種SRAM布置，其中存儲(chǔ)器邏輯在低電壓域中操作，而存儲(chǔ)器陣列在高電壓域中操作。由于這一點(diǎn)，存儲(chǔ)器泄漏功率顯著降低，但影響存儲(chǔ)器存取時(shí)間。泄漏功率增益隨著高電壓值與低電壓值的差增大而增大。由于存儲(chǔ)器陣列在高電壓域中操作，因此如果邏輯電壓降低，那么字線和位線兩者將優(yōu)選地在高電壓域中操作而不影響靜態(tài)噪聲容限和寫入容限。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種SRAM裝置，其具有電壓輸入端子、電平移位器、存儲(chǔ)器單元以及讀出放大器。電壓輸入端子被配置成接收處于第一電壓電平的第一信號(hào)。電平移位器連接到電壓輸入端以接收第一信號(hào)，且電平移位器被配置成輸出處于高于第一電壓電平的第二電壓電平的第二信號(hào)。存儲(chǔ)器單元具有字線和位線。字線連接到電平移位器的輸出端以選擇性地接收處于第二電壓電平的第二信號(hào)，且位線連接到電壓輸入端以選擇性地接收處于第一電壓電平的第一信號(hào)。讀出放大器連接到位線，且被配置成提供存儲(chǔ)器單元的輸出。讀出放大器具有讀出放大器輸入，所述讀出放大器輸入連接到電平移位器的輸出端以選擇性地接收處于第二電壓電平的第二信號(hào)。
附圖說明
根據(jù)結(jié)合附圖閱讀的以下詳細(xì)描述會(huì)最佳地理解本公開的各方面。應(yīng)注意，根據(jù)行業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)慣例，各種特征未按比例繪制。實(shí)際上，為了論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。
圖1是示出根據(jù)一些實(shí)施例的實(shí)例靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)裝置的各方面的框圖。
圖2是示出根據(jù)一些實(shí)施例的用于操作SRAM裝置的實(shí)例方法的各方面的過程流程圖。
圖3是示出根據(jù)一些實(shí)施例的實(shí)例SRAM裝置的其它方面的框圖。
圖4是示出根據(jù)一些實(shí)施例的實(shí)例SRAM裝置的其它方面的電路圖。
圖5是示出根據(jù)一些實(shí)施例的實(shí)例SRAM裝置的部分的等效電路的電路圖。
附圖標(biāo)號(hào)說明
10：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置；
12：輸入端；
14、14a、14b、14c：電平移位器；
16、16a、16b：存儲(chǔ)器單元；
18：位線預(yù)充電；
20：讀出放大器；
22：輸出端；
50：方法；
52、54、56、58：步驟；
100：存儲(chǔ)器陣列；
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