[發明專利]靜態隨機存取存儲器裝置在審
| 申請號： | 201811350862.1 | 申請日： | 2018-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN109801654A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發明（設計）人： | 桑吉夫庫馬爾甄恩;阿圖爾卡多奇 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/417 | 分類號： | G11C11/417;G11C7/06;G11C7/10;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電平移位器 電壓輸入端 讀出放大器 電壓電平 靜態隨機存取存儲器 存儲器單元 選擇性接收 第二信號 輸出端 位線 字線 配置 輸出 輸出端子 輸入連接 | ||
【權利要求書】：
1.一種靜態隨機存取存儲器(SRAM)裝置，包括：
電壓輸入端，被配置成接收處于第一電壓電平的第一信號；
電平移位器，連接到接收所述第一信號的所述電壓輸入端，所述電平移位器的輸出端被配置成輸出處于第二電壓電平的第二信號，所述第二電壓電平高于所述第一電壓電平；
存儲器單元，包含字線以及位線，所述字線連接到所述電平移位器的所述輸出端以選擇性地接收處于所述第二電壓電平的所述第二信號，所述位線連接到所述電壓輸入端以選擇性地接收處于所述第一電壓電平的所述第一信號；以及
讀出放大器，連接到所述位線且被配置成提供所述存儲器單元的輸出，所述讀出放大器具有讀出放大器輸入，所述讀出放大器輸入連接到所述電平移位器的所述輸出端以選擇性地接收處于所述第二電壓電平的所述第二信號。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811350862.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
