[發明專利]基座環組合件

在審

• 申請號: 201811345902.3
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN109786313A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 許云杰;楊盛增;黃榮吉
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本公開提供一種供在半導體處理工具中使用的基座環組合件包括：上部環板，具有穿透所述上部環板而形成的開孔；下部環，被配置成與所述上部環板互鎖在一起，所述上部環板包括：第一上部環壁，沿著所述開孔從所述上部環板延伸出；第二上部環壁，從所述上部環板延伸出且與所述第一上部環壁同心；橋，在所述第一上部環壁與所述第二上部環壁之間延伸，所述下部環包括：下部環壁，與所述第一上部環壁同心，其中所述下部環壁被配置成抵靠所述第一上部環壁；以及下部板，與所述橋平行且從所述下部環壁延伸出。

技術領域

本發明實施例涉及一種基座環組合件。

背景技術

在半導體裝置(例如，晶體管、二極管及集成電路)的處理中，通常會在一片薄的半導體材料(例如，襯底、晶片或工件)上同時制作多個此種裝置。在此種半導體裝置的制造期間的半導體處理步驟的一個實例中，通常將襯底或其他工件運輸到反應腔室中，在所述反應腔室中，在襯底的暴露表面上沉積材料薄膜或材料層。一旦沉積了所需厚度的材料層，便可將襯底在反應腔室內進行進一步處理或者從反應腔室中運輸出以進行進一步處理。

襯底通常是通過晶片搬運機構被轉移到反應腔室中。晶片搬運機構從反應腔室之外的位置(position)舉起襯底，并通過在反應腔室的壁中形成的閥門將襯底插入到反應腔室中。一旦襯底被轉移到反應腔室中，便將襯底下降到基座(susceptor)上以設置在所述基座上。在襯底被接納在基座上之后，從反應腔室抽回晶片搬運機構，并關閉閥門以便可開始對襯底的處理。在實施例中，基座環鄰近在處理期間上面設置有襯底的基座而定位且環繞所述基座。基座環可容置熱電偶，所述熱電偶被配置成在處理期間收集溫度傳感器數據。

至少因反應腔室內的溫度波動以及基座環所暴露于的高溫度，基座環中可能形成間隙或空間。這些空間常常使得工藝氣體能夠進入熱電偶所在的間隙。工藝氣體可接觸基座環內的熱電偶的外表面并造成熱電偶的劣化。熱電偶的劣化可導致所測量溫度的準確性的降低以及熱電偶壽命的縮短。因此，傳統的基座環組合件并不完全令人滿意。

發明內容

根據本發明的實施例，一種供在半導體處理工具中使用的基座環組合件包括：上部環板，具有穿透所述上部環板而形成的開孔；下部環，被配置成與所述上部環板互鎖在一起，所述上部環板包括：第一上部環壁，沿著所述開孔從所述上部環板延伸出；第二上部環壁，從所述上部環板延伸出且與所述第一上部環壁同心；橋，在所述第一上部環壁與所述第二上部環壁之間延伸，所述下部環包括：下部環壁，與所述第一上部環壁同心，其中所述下部環壁被配置成抵靠所述第一上部環壁；以及下部板，與所述橋平行且從所述下部環壁延伸出。

根據本發明的實施例，一種供在半導體處理工具中使用的基座環組合件包括：上部環，具有穿透所述上部環而形成的開孔；以及下部環，被配置成與所述上部環互鎖在一起，所述上部環包括：第一上部環壁，沿著所述開孔從所述上部環延伸出；第二上部環壁，從所述上部環延伸出且與所述第一上部環壁同心，所述下部環包括：下部環壁，與所述第一上部環壁同心，其中所述下部環壁被配置成抵靠所述第一上部環壁；以及下部板，以直角從所述下部環壁延伸出。

根據本發明的實施例，一種組裝基座環組合件的方法包括：將熱電偶插入到上部環中；將下部環與所述上部環互鎖在一起，其中所述上部環包括：開孔，穿透所述上部環而形成，第一上部環壁，沿著所述開孔從所述上部環延伸出；以及第二上部環壁，從所述上部環延伸出且與所述第一上部環壁同心，其中所述熱電偶被插入所述第一上部環壁與所述第二上部環壁之間；橋，在所述第一上部環壁與所述第二上部環壁之間延伸，其中所述下部環包括：下部環壁，與所述第一上部環壁同心，其中所述下部環壁被配置成抵靠所述第一上部環壁；以及下部板，與所述橋平行且從所述下部環壁延伸出。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最佳地理解本發明的各方面。應注意，各種特征未必按比例繪制。事實上，為使論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸及幾何形狀。