[發明專利]X射線探測單元、探測器及探測系統有效
| 申請號: | 201811345584.0 | 申請日: | 2018-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN109524428B | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發明(設計)人: | 金利波 | 申請(專利權)人: | 上海奕瑞光電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射線 探測 單元 探測器 系統 | ||
本發明提供一種X射線探測單元、探測器及探測系統,X射線探測單元包括:首尾相接形成閉合區域的轉換材料層、光電二極管像素及反射層,轉換材料層的面積大于光電二極管像素的面積。若干X射線探測單元一維線陣排布形成X射線探測器。X射線探測器,射線源及傳送裝置構成X射線探測系統,X射線探測器與射線源相對設置,傳送裝置設置于X射線探測器及所述射線源之間;通過傳送裝置的移動,X射線探測器對被檢測物進行多次一維檢測,進而獲得檢測物的二維檢測圖像。本發明將轉換材料層及光電二極管像素設置在不同維度,以此避免光電二極管像素面積對轉換材料層面積的影響,通過增大轉換材料層面積提高轉換效率同時提高信噪比。
技術領域
本發明涉及一種X射線探測領域,特別是涉及一種X射線探測單元、探測器及探測系統。
背景技術
X射線探測器經歷了百年的發展,由傳統的膠片式逐漸發展至當今的數字式,這其中又經歷了CR探測器、CCD X射線探測器、CCD拼接式X射線探測器以及目前最為主流的X射線平板探測器。X射線平板探測器可以捕獲X光,將被測物體的X射線影像轉變為數字圖像以便于查看、分析、存儲以及傳播,其被廣泛應用于安檢、醫療、生物、材料和工業檢測等領域。
一維線陣探測器是X射線探測器中的一種,長度通常為數十厘米至數米,像素尺寸通常為零點幾至數毫米,像素數目包括數百至千萬個。如圖1~圖2所示,現有的一維探測器結構1包括:基板10;形成于所述基板10上的光電二極管像素11,各光電二極管像素排列成一維線陣;以及位于所述一維線陣上方的轉換材料層12。其基本工作原理是,X射線照射到所述轉換材料層12上,所述轉換材料層12將X射線轉換為可見光,可見光照射到所述光電二極管像素11上,光電二極管將可見光轉換為光電子,光電子經過放大電路(圖中未顯示)轉化為電壓信號并進行模數轉換后傳至計算機形成數字圖像。
為了便于探測,我們需要獲得更大的信號量,一種方式是將所述光電二極管像素11的面積增大(像素入射信號量與像素面積成正比),但與此同時像素面積越大,噪聲也越大。在這種像素模型中,噪聲的主要來源為光電二極管的電容開關噪聲σpd-KTC=sqrt(2KTCpd),這不利于提高信噪比。
另外,X射線照射到所述轉換材料層12(閃爍體)后,產生可見光,可見光需要穿過所述轉換材料層12才能照射到所述光電二極管像素11上。一般閃爍體的厚度,對工業百kV級射線吸收少,閃爍體厚度為0.5mm時對100keV射線吸收僅約60%,信號量小。但如果增加閃爍體厚度以吸收更多X射線,則由于可見光需要穿過更厚的閃爍體,閃爍體本身吸收可見光,導致對轉換效率貢獻小。
因此,如何提高X射線探測器的信噪比、提高轉換效率已成為本領域技術人員亟待解決的問題之一。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種X射線探測單元,用于解決現有技術中信噪比低、轉換效率低等問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種X射線探測單元,所述X射線探測單元至少包括:
轉換材料層、光電二極管像素及反射層;
其中,所述轉換材料層、所述光電二極管像素及所述反射層首尾相接,形成閉合區域,且所述轉換材料層的面積大于所述光電二極管像素的面積。
可選地,所述轉換材料層的材質為碘化銫或硫氧化釓。
可選地,所述光電二極管像素與所述轉換材料層的夾角設定為(0,90°]。
可選地,所述反射層為平面或朝向所述X射線探測單元內部的弧面。
可選地,所述轉換材料層的面積不小于所述光電二極管像素的面積的1.5倍。
更可選地,所述反射層朝向于所述X射線探測單元內部的表面為鏡面。
更可選地,所述反射層的材質為碘化銫或硫氧化釓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





